[發明專利]溝槽刻蝕的方法有效
| 申請號： | 202011028815.2 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112164647B | 公開（公告）日： | 2022-12-27 |
| 發明（設計）人： | 馮大貴;歐少敏;吳長明 | 申請（專利權）人： | 華虹半導體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/28 | 分類號： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 羅雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 溝槽 刻蝕 方法 | ||
1.一種溝槽刻蝕的方法，其特征在于，所述方法包括：
在襯底上形成硬掩膜層；
在所述硬掩膜層表面形成一層光刻膠；
在光刻膠層中形成溝槽開口圖案，所述溝槽開口圖案的特征尺寸小于溝槽開口的目標特征尺寸；
根據所述溝槽開口圖案進行刻蝕，在所述硬掩膜層形成溝槽開口圖案，所述襯底頂部形成預定深度的凹槽；
增大硬掩膜層中溝槽開口圖案的特征尺寸，令所述硬掩膜層中溝槽開口圖案的特征尺寸等于所述溝槽開口的目標特征尺寸；
根據增大后的溝槽開口圖案刻蝕所述襯底，在所述襯底中形成溝槽；其中，所述凹槽的預定深度小于所述溝槽的深度，所述凹槽的預定深度為200?-800?。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述硬掩膜層為氧化硅層，所述增大硬掩膜層中溝槽開口圖案的特征尺寸，令所述硬掩膜層中溝槽開口圖案的特征尺寸等于所述溝槽開口的目標特征尺寸，包括：
通過濕法腐蝕工藝去除所述溝槽開口圖案外側的部分氧化硅層，令所述氧化硅層中溝槽開口圖案的特征尺寸等于所述溝槽開口的目標特征尺寸。
3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述濕法腐蝕工藝中使用的藥液為氫氟酸。
4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
去除襯底表面剩余的光刻膠。
5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據增大后的溝槽開口圖案刻蝕所述襯底，在所述襯底中形成溝槽，包括：
以包含所述增大后的溝槽開口圖案的硬掩膜層為掩膜，利用六氟甲烷和氧氣進行刻蝕，在所述襯底中形成溝槽。
6.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據所述溝槽開口圖案進行刻蝕，在所述硬掩膜層形成溝槽開口圖案，所述襯底頂部形成預定深度的凹槽，包括：
根據所述溝槽開口圖案進行干法刻蝕，在所述硬掩膜層形成溝槽開口圖案，所述襯底頂部形成預定深度的凹槽；
其中，刻蝕所用氣體為四氟甲烷和/或三氟甲烷。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
