[發明專利]耐腐蝕涂層制備方法、半導體零部件和等離子體反應裝置

在審

• 申請號: 202011026969.8
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN114250436A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 段蛟
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）股份有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;H01J37/32
• 代理公司: 深圳中創智財知識產權代理有限公司 44553
• 代理人: 文言;田宇

1.一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，包括：

提供一零部件本體，所述零部件本體至少包括不共面的第一待涂面和第二待涂面；

在所述第一待涂面上形成致密的耐腐蝕涂層，同時在第二待涂面形成疏松的耐腐蝕涂層；

對所述零部件本體進行清潔處理，去除所述第二待涂面上疏松的耐腐蝕涂層，暴露出所述第二待涂面；

在所述第二待涂面上形成致密的耐腐蝕涂層，同時在第一待涂面形成疏松的耐腐蝕涂層；

對所述零部件本體進行清潔處理，去除所述第一待涂面上疏松的耐腐蝕涂層。

2.根據權利要求1所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，

所述耐腐蝕涂層的形成工藝為物理氣相沉積法，具體包括：

提供一靶材，激發所述靶材形成分子流；

使所述零部件本體的第一待涂面與所述靶材相對設置，所述分子流在所述第一待涂面形成致密的耐腐蝕涂層，同時所述第二待涂面沉積形成疏松的耐腐蝕涂層；

對所述零部件本體進行清潔處理，去除所述第二待涂面上疏松的耐腐蝕涂層，暴露出所述第二待涂面；

在所述第一待涂面形成致密的耐腐蝕涂層之后，使所述第二待涂面與所述靶材相對設置，所述分子流在所述第二待涂面沉積形成致密的耐腐蝕涂層，同時在所述第一待涂面上沉積形成疏松的耐腐蝕涂層；

對所述零部件本體進行清潔處理，去除所述第一待涂面上疏松的耐腐蝕涂層。

3.根據權利要求2所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述分子流通過增強源輸送至所述零部件本體的表面。

4.根據權利要求3所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述增強源包括等離子體增強源、離子束增強源、微波增強源或射頻增強源中的至少一種。

5.根據權利要求1所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述清潔處理為化學清洗。

6.根據權利要求5所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述化學清洗使用的化學溶液包括酸溶液，所述酸溶液包括鹽酸、硫酸、硝酸或高氯酸中的至少一種。

7.根據權利要求5所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述化學清洗使用的化學溶液的體積濃度范圍為1:1～1:1000。

8.根據權利要求5所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述化學清洗時間為1秒～1小時。

9.根據權利要求5所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述化學清洗過程通過輔助方式調控清洗速度，所述輔助方式包括加熱或超聲中的至少一種。

10.根據權利要求1所述的一種在零部件本體表面形成耐腐蝕涂層的方法，其特征在于，所述致密的耐腐蝕涂層的致密度為：95％～100％。

11.一種半導體零部件，其特征在于，包括零部件本體，所述零部件本體至少包括不共面的第一待涂面和第二待涂面，所述第一待涂面和第二待涂面具有如權利要求1-10任一方法制備的致密的耐腐蝕涂層。

12.根據權利要求11所述的一種半導體零部件，其特征在于，所述第一待涂面與第二待涂面之間的夾角范圍為45°～135°。

13.根據權利要求11所述的一種半導體零部件，其特征在于，所述致密的耐腐蝕涂層的生長方向與零部件本體表面的法線方向平行，所述致密的耐腐蝕涂層在所述第一待涂面與第二待涂面之間的交界處具有連續的致密結構。