[發(fā)明專利]一種集成電路管殼級真空封裝性能測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011026830.3 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112269116A | 公開（公告）日： | 2021-01-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 鄭宇;方嵐;李蘇蘇;謝玉巧;明源;向圓 | 申請（專利權(quán)）人： | 華東光電集成器件研究所 |
| 主分類號： | G01R31/28 | 分類號： | G01R31/28;H01L21/66 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源專利商標事務(wù)所(普通合伙) 34113 | 代理人： | 陳俊 |
| 地址： | 233030 安徽省*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 集成電路 管殼 真空 封裝 性能 測試 方法 | ||
1.一種集成電路管殼級真空封裝性能測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片初測，
對MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的漏電流、基礎(chǔ)電容、驅(qū)動頻率、驅(qū)動Q值、敏感頻率、敏感Q值進行測試，確定MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的性能滿足要求；
S2、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片粘片，
選取經(jīng)過測試合格的MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片，將MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片粘接于管殼內(nèi)；
S3、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片引線鍵合，
將MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的PAD點與管殼引腳對應鍵合；
S4、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片第二次測試，
對未蓋板的管殼內(nèi)的MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片進行第二次測試，測試參數(shù)包括漏電流、基礎(chǔ)電容、驅(qū)動頻率、驅(qū)動Q值、敏感頻率、敏感Q值，確定MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的性能滿足要求；
S5、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片激光打孔，
利用激光劃片機在MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的上層蓋板穿孔，使MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的中間結(jié)構(gòu)腔體與外界大氣環(huán)境連通；
S6、標定真空度與MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片Q值的對應曲線，
將打過孔的MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片放入可調(diào)真空度的真空裝置中，在不同的真空度條件下測試MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片的Q值，描繪真空度與Q值的對應曲線；
S7、管殼級真空封裝，
將打過孔的MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片進行管殼級的真空封裝；
S8、MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片第三次測試，
對完成管殼級真空封裝的MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片進行第三次測試，測試參數(shù)包括漏電流、基礎(chǔ)電容、驅(qū)動頻率、驅(qū)動Q值、敏感頻率、敏感Q值，此時MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)芯片內(nèi)部腔體的真空度即是管殼級封裝內(nèi)部的真空度；
S9、查找管殼級封裝對應的真空度數(shù)值，
根據(jù)步驟S6標定的對應曲線，查找與步驟S8的Q值相對應的真空度，該真空度即是管殼級封裝的真空度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種集成電路管殼級真空封裝性能測試方法，其特征在于，步驟S5的打孔孔徑為200μm，激光劃片機的打孔參數(shù)：速度200μm/s，前300μm在5秒內(nèi)完成，每次步進100μm，完成后表面硅屑吹凈，300μm后每次步進10μm，體式顯微鏡觀察MEMS陀螺微結(jié)構(gòu)背面透光后，每次步進2μm，直至上層蓋板被打透。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于華東光電集成器件研究所，未經(jīng)華東光電集成器件研究所許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011026830.3/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
