[發明專利]一種等離子體刻蝕晶圓的溫度分布檢測裝置

在審

• 申請號: 202011026682.5
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112212994A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 王超;鐘業奎;賈鏡材;邱安美;張澤展;喻培豐;牛夷;姜晶
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: G01K7/02
• 分類號: G01K7/02
• 代理公司: 電子科技大學專利中心 51203
• 代理人: 陳一鑫

1.一種等離子體刻蝕晶圓的溫度分布檢測裝置，該裝置包括：溫度探測系統、數據采集系統、數據處理系統、溫度顯示系統，所述溫度探測系統包括多個埋設于晶圓內的溫度探頭，每個溫度探頭的數據線連接數據采集系統，數據采集系統采集到的數據傳輸給數據處理系統，計算出溫度后給溫度顯示系統顯示；所述溫度探測系統中的溫度探頭為絲狀熱電偶，埋設于晶圓空腔結構內；所述空腔結構為底部和頸部都為圓形，且底部直徑大于口部直徑，所述絲狀熱電偶包括A段和B段，A段對應熱電偶的正極成分為鎳鉻合金，成分比為：Ni：Cr＝7.65：1；B段對應熱電偶的負極，成分為鎳硅合金，成分比為：Ni：Si＝33：1；A段和B段的連接點為熱電偶結，位于空腔結構底部的中點，從熱電偶結開始絲狀熱電偶包括A段和B段沿著相同的時針方向盤繞于空腔結構底部，構成A段和B段間隔繞制的熱電偶盤，且A段和B段的繞制結束點分別位于熱電偶盤的兩側；A段和B段連接出空腔結構，空腔結構中的A段和B段長度相等；連接出空腔結構的A段和B段輸出端為溫度探頭的數據輸出端；所述空腔結構內部采用比例為1.35：1的聚酰亞胺：硅屑的混合材料進行填充，填充后的晶圓在100℃～140℃的環境中保溫1小時；填充材料與晶圓表面齊平，采用比例為1.75：1的SiO₂：Al₂O₃混合陶瓷漿料對空腔結構進行封口，陶瓷漿料置于40～60℃環境烘烤6～8小時。

2.如權利要求1所述的一種等離子體刻蝕晶圓的溫度分布檢測裝置，其特征在于，所述檢測裝置用于直徑為300mm的晶圓，溫度探頭為49個，均勻分布于晶圓上，間距為15mm～60mm；熱電偶的直徑為0.05mm，測量溫度范圍為25℃～400℃。