[發明專利]一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐

在審

• 申請號: 202011026521.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112195518A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 羅福敏;胡昌勇;李勇
• 申請（專利權）人: 威科賽樂微電子股份有限公司
• 主分類號: C30B29/40
• 分類號: C30B29/40;C30B11/00
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 張晨

1.一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，包括單晶爐架和壓力容器，所述壓力容器安裝在單晶爐架上，其特征在于：所述壓力容器為兩端敞開的中空結構，所述壓力容器的一端可拆卸的密封安裝有第一法蘭，所述壓力容器的另一端密封安裝有第二法蘭，所述第一法蘭遠離壓力容器的一側設置有第一壓板，所述第二法蘭遠離壓力容器的一側設置有第二壓板，所述第一壓板與第二壓板之間設置有緊固機構；所述壓力容器的內壁上固定連接有U型隔板，所述U型隔板將壓力容器的內部分隔為加熱腔、堝降腔和動力腔；所述加熱腔與坩降腔連通，且所述加熱腔的直徑大于坩降腔的直徑，所述加熱腔的內壁上固定安裝有加熱器；所述加熱腔內設置有坩堝托，所述坩堝托靠近第一法蘭的一端設置有用于安裝石英坩堝的凹槽，所述坩堝托的另一端固定連接有支撐桿；所述動力腔內設置有下拉動力機構，所述下拉動力機構上固定連接有連接桿，所述連接桿滑動的穿過U型隔板與支撐桿連接；所述第一法蘭上穿設在有通氣管，所述通氣管的一端與壓力容器的加熱腔連通，所述通氣管的另一端固定連通有開關閥；所述單晶爐架上安裝有控制器，所述控制器與加熱器和步進電機電連接。

2.根據權利要求1所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述緊固機構包括兩根主螺桿，所述第一壓板和第二壓板的兩端部均設置有通孔，兩根所述主螺桿均滑動的穿設在第一壓板和第二壓板的通孔內，所述主螺桿的端部上均螺紋連接有緊固螺母。

3.根據權利要求2所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述下拉動力機構包括步進電機、第一減速器和第二減速器，所述步進電機與第一減速器之間張緊有皮帶，所述第一減速器與第二減速器串聯，所述第二減速器的輸出桿與連接桿固定連接，所述連接桿上設置有外螺紋，所述支撐桿上設置有第一內螺紋孔，所述連接桿螺紋連接在支撐桿的第一內螺紋孔內。

4.根據權利要求3所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述加熱器靠近壓力容器內壁的一側設置有連接塊，所述連接塊內設置有第二內螺紋孔，所述加熱容器上開設有與第二內螺紋孔匹配的螺紋通孔，所述第二螺紋孔與連接塊的螺紋通孔之間螺紋連接有固定螺桿。

5.根據權利要求4所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述壓力容器兩側的外壁上均設置有第一耳板和第二耳板，所述第一耳板和第二耳板之間固定連接有連接板，所述連接板的中部嵌入有轉動軸承，所述單晶爐架上固定連接有轉軸，所述轉軸與轉動軸承的內圈固定連接。

6.根據權利要求5所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述連接板與第一耳板和第二耳板之間固定連接有螺栓。

7.根據權利要求6所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述螺紋通孔靠近壓力容器外壁的一側設置有環形凹槽，所述環形凹槽內墊設有第一密封圈。

8.根據權利要求7所述的一種用于VB法InP單晶生長的單晶爐，其特征在于：所述第一法蘭和第二法蘭與壓力容器的端部之間均墊設有第二密封圈。