[發明專利]半導體熔絲結構以及制造該半導體熔絲結構的方法

在審

• 申請號: 202011026352.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112599495A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: D·歐曼;J·W·霍爾
• 申請（專利權）人: 半導體元件工業有限責任公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525;H01L21/768;H01L23/62;H01L27/112
• 代理公司: 中國貿促會專利商標事務所有限公司 11038
• 代理人: 秦晨

1.一種半導體器件，所述半導體器件具有熔絲結構，所述半導體器件包括：

半導體材料區域，所述半導體材料區域具有第一主表面；

位于所述第一主表面上方的第一介電區域；

位于所述第一介電區域的第一部分上方的第一熔絲端子；

第二熔絲端子，所述第二熔絲端子位于所述第一介電區域的第二部分上方，并且與所述第一熔絲端子間隔開以提供間隙區域；

熔絲主體，所述熔絲主體位于所述第一介電區域的第三部分上方，插置在所述第一熔絲端子與所述第二熔絲端子之間并且連接到所述第一熔絲端子和所述第二熔絲端子；和

第一虛設結構，所述第一虛設結構位于所述熔絲主體的第一側上的所述間隙區域中的所述第一介電區域上方，所述第一虛設結構與所述熔絲主體、所述第一熔絲端子和所述第二熔絲端子間隔開并且電隔離。

2.根據權利要求1所述的器件，還包括：

位于所述熔絲主體和所述第一虛設結構上方的第二介電區域；和

位于所述間隙區域中的所述第二介電區域上方的第二虛設結構，所述第二虛設結構與所述熔絲主體重疊。

3.根據權利要求1所述的器件，還包括以下項中的一項或多項：

第二虛設結構，所述第二虛設結構位于所述熔絲主體的第二側上的所述間隙區域中的所述第一介電區域上方，所述第二虛設結構與所述熔絲主體、所述第一熔絲端子和所述第二熔絲端子間隔開并且電隔離；或

浮動摻雜阱區，所述浮動摻雜阱區位于所述半導體材料區域中并與所述第一主表面相鄰，其中所述熔絲主體和所述第一虛設結構位于所述浮動摻雜阱區上方。

4.根據權利要求1所述的器件，其中所述熔絲主體包括：

第一熔絲主體端，所述第一熔絲主體端連接到所述第一熔絲端子；

第二熔絲主體端，所述第二熔絲主體端連接到所述第二熔絲端子；

第一對擴口部分，所述第一對擴口部分設置在所述熔絲主體的靠近所述第一熔絲主體端的相對側上，使得所述熔絲主體在靠近所述熔絲主體連接到所述第一熔絲端子的位置的平面圖中變寬；和

第二對擴口部分，所述第二對擴口部分設置在所述熔絲主體的靠近所述第二熔絲主體端的相對側上，使得所述熔絲主體在靠近所述熔絲主體連接到所述第二熔絲端子的位置的所述平面圖中變寬。

5.根據權利要求1所述的器件，還包括：

第二介電區域，所述第二介電區域位于所述第一熔絲端子、所述熔絲主體和所述第二熔絲端子上方；

第一導電通孔，所述第一導電通孔設置在所述第一熔絲端子上方的所述第二介電區域中并且具有第一通孔圖案；和

第二導電通孔，所述第二導電通孔設置在所述第二熔絲端子上方的所述第二介電區域中并且具有不同于所述第一通孔圖案的第二通孔圖案。

6.根據權利要求5所述的器件，其中：

所述第二通孔圖案包括靠近所述熔絲主體連接到所述第二熔絲端子的位置的沒有通孔的區。

7.一種半導體器件，所述半導體器件具有熔絲結構，所述半導體器件包括：

半導體材料區域，所述半導體材料區域具有第一主表面；

位于所述第一主表面上方的第一介電區域；

位于所述第一介電區域上方的熔絲結構，包括：

位于所述第一介電區域的第一部分上方的第一熔絲端子；

第二熔絲端子，所述第二熔絲端子位于所述第一介電區域的第二部分上方，并且與所述第一熔絲端子間隔開以提供間隙區域；和

熔絲主體，所述熔絲主體位于所述第一介電區域的第三部分上方，插置在所述第一熔絲端子與所述第二熔絲端子之間并且連接到所述第一熔絲端子和所述第二熔絲端子；

第一虛設結構，所述第一虛設結構位于所述熔絲主體的第一側上的所述間隙區域中的所述第一介電區域上方，所述第一虛設結構與所述熔絲主體、所述第一熔絲端子和所述第二熔絲端子間隔開并且電隔離；和

浮動摻雜阱區，所述浮動摻雜阱區位于所述半導體材料區域中并與所述第一主表面相鄰，其中所述熔絲主體和所述第一虛設結構位于所述浮動摻雜阱區上方。