[發明專利]中心自聚焦圓環陣探頭

在審

• 申請號: 202011026306.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112179992A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 蔡慶生;鄧宇;陳奇禮;王黎
• 申請（專利權）人: 廣州多浦樂電子科技股份有限公司
• 主分類號: G01N29/24
• 分類號: G01N29/24;G01N29/26
• 代理公司: 重慶航圖知識產權代理事務所(普通合伙) 50247
• 代理人: 胡小龍

1.一種中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：包括：

中心晶片，用于實現工件表層的單元點自聚焦掃查；

環形晶片，通過電子聚焦實現工件深度方向上的聚焦掃查；

所述環形晶片套裝設置在所述中心晶片外并與所述中心晶片同軸；

所述環形晶片設為至少兩個，所有的所述環形晶片的外徑與內徑之差相等。

2.根據權利要求1所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的內側面和外側面為同心的球面，且所述中心晶片的內側面和外側面的球面圓所在的平面距離對應的所述球面的最大距離小于等于該球面的半徑。

3.根據權利要求2所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的內側面的球徑為2-300mm。

4.根據權利要求1所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述中心晶片和所述環形晶片均采用壓電陶瓷或壓電復合材料制成。

5.根據權利要求1所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：相鄰兩個所述環形晶片的中心圓直徑之差相等。

6.根據權利要求1-5任一項所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所有的所述環形晶片沿著所述中心晶片的外側面球面圓的徑向向外的方向依次設置；相鄰兩個所述環形晶片中，靠近所述中心晶片的所述環形晶片的外徑小于等于遠離所述中心晶片的所述環形晶片的內徑；所有的所述環形晶片中，距離所述中心晶片最近的所述環形晶片的內徑大于等于所述中心晶片外側面的球面圓直徑。

7.根據權利要求6所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述環形晶片的數量為2-100片。

8.根據權利要求6所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述中心晶片和所述環形晶片相對的第一表面和第二表面均設有電極層；設置在所述中心晶片的所述第一表面上以及設置在所有的所述環形晶片的所述第一表面上的電極層之間采用第一導線導通；設置在所述中心晶片的所述第二表面上以及設置在所有的所述環形晶片的所述第二表面上的電極層上分別設有第二導線。

9.根據權利要求8所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述電極層采用金、銀、銅、鉻和鎳中的一種金屬材料制成或至少兩種金屬材料的合金制成。

10.根據權利要求8所述的中心自聚焦圓環陣探頭，其特征在于：所述中心晶片的所述第一表面上以及所有的所述環形晶片的所述第一表面上分別設有至少一層匹配層。