[發(fā)明專利]一種板式PECVD設(shè)備有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011025958.8 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112176325B | 公開(公告)日: | 2023-01-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 龔俊;魏唯;周立平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國電子科技集團(tuán)公司第四十八研究所 |
| 主分類號(hào): | C23C16/509 | 分類號(hào): | C23C16/509;C23C16/455;C23C16/52 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務(wù)所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 徐好 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 板式 pecvd 設(shè)備 | ||
1.一種板式PECVD設(shè)備,包括反應(yīng)腔體(1),其特征在于:所述反應(yīng)腔體(1)內(nèi)設(shè)有加熱盤(3),所述加熱盤(3)上設(shè)有屏蔽環(huán)(4),加熱盤(3)外周設(shè)有下整流罩(5),所述下整流罩(5)上方設(shè)有可升降的上整流罩(2),所述上整流罩(2)內(nèi)側(cè)設(shè)有上電極(6)、勻氣塊(7)、以及位于上電極(6)與勻氣塊(7)之間的調(diào)節(jié)墊環(huán),所述上電極(6)和勻氣塊(7)之間形成緩沖腔(8),所述勻氣塊(7)上設(shè)有進(jìn)氣通道(9),所述上電極(6)上均勻設(shè)置有多個(gè)出氣通道,上電極(6)通過所述勻氣塊(7)與射頻匹配器導(dǎo)通,所述反應(yīng)腔體(1)上設(shè)有傳片口(15),所述上整流罩(2)處于高位時(shí),所述傳片口(15)位于所述下整流罩(5)和與所述上整流罩(2)之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述反應(yīng)腔體(1)上設(shè)有反應(yīng)腔蓋(10),所述勻氣塊(7)上設(shè)有上蓋(11),勻氣塊(7)通過所述上蓋(11)與射頻匹配器導(dǎo)通,所述反應(yīng)腔蓋(10)位于所述上蓋(11)外周且兩者之間設(shè)有絕緣環(huán)(12),反應(yīng)腔蓋(10)上設(shè)有升降機(jī)構(gòu)(13),所述升降機(jī)構(gòu)(13)穿過反應(yīng)腔蓋(10)后與所述上整流罩(2)相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述升降機(jī)構(gòu)(13)包括第一升降驅(qū)動(dòng)件(131)、安裝板(132)以及多根沿圓周方向布置的升降桿(133),所述第一升降驅(qū)動(dòng)件(131)與所述安裝板(132)相連,所述升降桿(133)上端與安裝板(132)相連,下端穿過反應(yīng)腔蓋(10)后與上整流罩(2)相連,所述升降桿(133)外周設(shè)有可伸縮的第一密封管(134),所述第一密封管(134)上端與所述安裝板(132)密封連接,下端與所述反應(yīng)腔蓋(10)密封連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述反應(yīng)腔蓋(10)上設(shè)有導(dǎo)向桿(135),所述安裝板(132)上設(shè)有導(dǎo)向套(136),所述導(dǎo)向套(136)套設(shè)于所述導(dǎo)向桿(135)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述緩沖腔(8)頂面為弧形結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述反應(yīng)腔體(1)一側(cè)設(shè)有傳送腔體(14),所述傳送腔體(14)上也設(shè)有傳片口(15)、且與反應(yīng)腔體(1)上的傳片口(15)之間設(shè)有隔離閥(16),所述反應(yīng)腔體(1)下方設(shè)有頂片機(jī)構(gòu)(17),所述傳送腔體(14)內(nèi)設(shè)有傳片機(jī)械手(18)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述傳送腔體(14)內(nèi)設(shè)有導(dǎo)向滑軌(19)、主動(dòng)輪(20)、從動(dòng)輪(21)、以及繞設(shè)于主動(dòng)輪(20)和從動(dòng)輪(21)上的同步帶(22),所述導(dǎo)向滑軌(19)上設(shè)有滑塊(23),所述同步帶(22)和所述傳片機(jī)械手(18)均與所述滑塊(23)相連,所述傳送腔體(14)外設(shè)有旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件(25),所述旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)件(25)通過磁流體密封軸(24)與所述主動(dòng)輪(20)相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的板式PECVD設(shè)備,其特征在于:所述頂片機(jī)構(gòu)(17)包括第二升降驅(qū)動(dòng)件(171)、頂板(172)以及多根沿圓周方向布置的頂桿(173),所述第二升降驅(qū)動(dòng)件(171)與所述頂板(172)相連,所述頂桿(173)下端與頂板(172)相連,上端穿設(shè)于所述加熱盤(3)中,頂桿(173)外周設(shè)有可伸縮的第二密封管(174),所述第二密封管(174)下端與所述頂板(172)密封連接。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應(yīng)產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學(xué)鍍覆,例如化學(xué)氣相沉積
C23C16-01 .在臨時(shí)基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機(jī)材料為特征的
- 傳感設(shè)備、檢索設(shè)備和中繼設(shè)備
- 簽名設(shè)備、檢驗(yàn)設(shè)備、驗(yàn)證設(shè)備、加密設(shè)備及解密設(shè)備
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- 設(shè)備向設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)





