[發(fā)明專利]具有接觸塞的半導體存儲器裝置

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• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112992901A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發(fā)明（設計）人: 成慧真;禹東秀;李垣哲
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/108
• 分類號: H01L27/108
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 張曉;韓芳

1.一種半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置包括：

基底，具有存儲器單元區(qū)和外圍電路區(qū)，在存儲器單元區(qū)處限定有多個有源區(qū)，在外圍電路區(qū)處限定有至少一個邏輯有源區(qū)；

字線，具有下字線層和上字線層的堆疊結構，并且在第一水平方向上延伸越過所述多個有源區(qū)，其中，掩埋絕緣層位于字線上；

位線結構，布置在所述多個有源區(qū)上，在與第一水平方向垂直的第二水平方向上延伸，并且具有位線；以及

字線接觸塞，通過穿透掩埋絕緣層而電連接到字線，并且在字線接觸塞的上部中具有塞延伸件，塞延伸件具有比字線接觸塞的下部的水平寬度大的水平寬度。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中，字線接觸塞穿透掩埋絕緣層和上字線層，并且延伸到下字線層。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，其中，字線接觸塞的與下字線層的頂表面相鄰的部分的側表面被上字線層圍繞。

4.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，位線結構還具有覆蓋位線的絕緣蓋線，位線具有第一金屬導電圖案和第二金屬導電圖案的堆疊結構，并且

其中，位線結構還包括位線接觸塞，位線接觸塞通過穿透絕緣蓋線而電連接到位線。

5.根據權利要求4所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

柵極線結構，布置在所述至少一個邏輯有源區(qū)上，并且包括具有第一金屬導電圖案和第二金屬導電圖案的堆疊結構的柵極線，其中，絕緣蓋線覆蓋柵極線；以及

柵極線接觸塞，通過穿透絕緣蓋線而電連接到柵極線。

6.根據權利要求5所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

填充絕緣層，填充位線結構與柵極線結構之間的空間，

其中，字線接觸塞通過穿透填充絕緣層和掩埋絕緣層兩者而伸展到字線中。

7.根據權利要求6所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

邏輯有源區(qū)接觸塞，通過穿透填充絕緣層而電連接到所述至少一個邏輯有源區(qū)。

8.根據權利要求7所述的半導體存儲器裝置，所述半導體存儲器裝置還包括：

多條邏輯位線，布置在填充絕緣層和絕緣蓋線上，

其中，字線接觸塞、邏輯有源區(qū)接觸塞、位線接觸塞和柵極線接觸塞中的每者連接到所述多條邏輯位線中的至少一條。

9.根據權利要求8所述的半導體存儲器裝置，其中，字線接觸塞、邏輯有源區(qū)接觸塞、位線接觸塞和柵極線接觸塞中的每者與所述多條邏輯位線中的所述至少一條一體地形成。

10.根據權利要求7所述的半導體存儲器裝置，其中，塞延伸件的底表面的豎直水平比位線的頂表面的第一豎直水平高，并且比絕緣蓋線的頂表面的第二豎直水平低。

11.根據權利要求10所述的半導體存儲器裝置，其中，字線接觸塞在第二豎直水平處的水平寬度與字線接觸塞在第一豎直水平處的水平寬度的比例大于邏輯有源區(qū)接觸塞和位線接觸塞中的每者在第二豎直水平處的水平寬度與邏輯有源區(qū)接觸塞和位線接觸塞中的每者在第一豎直水平處的水平寬度的比例。