[發明專利]射頻開關裝置及射頻開關系統

在審

• 申請號: 202011024859.8
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112202443A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 余云忠
• 申請（專利權）人: 武漢中科醫療科技工業技術研究院有限公司
• 主分類號: H03K19/0185
• 分類號: H03K19/0185
• 代理公司: 北京華進京聯知識產權代理有限公司 11606
• 代理人: 馬云超

本申請涉及一種射頻開關裝置及射頻開關系統。射頻開關裝置包括第一耦合器、第二耦合器、第一開關、第二開關和匹配負載。第二輸入端與第一直通端連接。第二隔離端與第一耦合端連接。第二輸入端和第一直通端與第一開關的一端連接。第二隔離端和第一耦合端與第二開關的一端連接。第一開關和第二開關的另一端接地。匹配負載與第二直通端連接。當第一開關與第二開關均導通時，射頻信號從第一隔離端輸出。當第一開關與第二開關均斷開時，射頻信號從第二耦合端輸出。射頻開關裝置僅需控制第一開關和第二開關的開關狀態，就能實現射頻信號的輸出端口的選擇。射頻開關裝置包括的開關數量較少，控制邏輯簡單，結構簡單。

技術領域

本申請涉及開關技術領域，特別是涉及一種射頻開關裝置及射頻開關系統。

背景技術

現有技術中通過多個并聯和串聯MOS管的放大電路來實現射頻電路的開關。在串聯狀態下，MOS的源級和漏級分別與輸入和輸出端口相連。并聯狀態下，MOS管的漏極與輸入輸出通路相連，源極接地，通過改變MOS管柵極控制射頻信號來改變MOS管輸入阻抗，從而實現開關導通和截止。單純采用串聯或者并聯MOS管的開關結構，插入損耗和隔離度指標都不夠好。而采用多個并聯和串聯MOS管的電路實現電路的導通和截止，控制邏輯和電路結構很復雜。

發明內容

基于此，有必要針對現有射頻電路的開關電路結構復雜的問題，提供一種射頻開關裝置及射頻開關系統。

一種射頻開關裝置，包括第一耦合器、第二耦合器、第一開關、第二開關和匹配負載。所述第一耦合器包括第一輸入端、第一直通端、第一耦合端和第一隔離端。所述第一輸入端用于接收射頻信號。所述第二耦合器包括第二輸入端、第二直通端、第二耦合端和第二隔離端。所述第二輸入端與所述第一直通端連接，所述第二隔離端與所述第一耦合端連接。所述第二輸入端和所述第一直通端均與所述第一開關的一端連接。所述第一開關的另一端接地。所述第二隔離端和所述第一耦合端均與所述第二開關的一端連接。所述第二開關的另一端接地。所述匹配負載與所述第二直通端連接。

當所述第一開關與所述第二開關均導通時，所述射頻信號從所述第一輸入端輸入，從所述第一隔離端輸出。當所述第一開關與所述第二開關均斷開時，所述射頻信號從所述第一輸入端輸入，從所述第二耦合端輸出，所述匹配負載用于將所述第二直通端的射頻信號轉化為熱能。

在一個實施例中，所述第一開關或所述第二開關為晶體管。

在一個實施例中，所述第一開關和所述第二開關均為二極管，且所述第一開關和第二開關的導通射頻信號相同。

在一個實施例中，所述匹配負載包括電阻，所述電阻的一端與所述第二直通端連接，所述電阻的另一端接地。

在一個實施例中，所述第一耦合器或所述第二耦合器為3dB正交耦合器。

一種射頻開關系統，包括第一射頻開關裝置和第二射頻開關裝置。所述第一射頻開關裝置和所述第二射頻開關裝置均為上述任一個實施例所述的射頻開關裝置，所述第二射頻開關裝置的所述第一輸入端與所述第一射頻開關裝置的所述第一隔離端或所述第一射頻開關裝置的所述第二耦合端連接。

在一個實施例中，所述第一射頻開關裝置和所述第二射頻開關裝置中的所述匹配負載相同。

在一個實施例中，所述射頻開關系統還包括第三射頻開關裝置。所述第三射頻開關裝置為上述任一個實施例所述的射頻開關裝置。所述第三射頻開關裝置的所述第一輸入端與所述第一射頻開關裝置的所述第二耦合端或所述第一射頻開關裝置的所述第一隔離端連接。

在一個實施例中，所述第一射頻開關裝置、所述第二射頻開關裝置和所述第三射頻開關裝置中的所述第一開關和所述第二開關的種類均相同。

在一個實施例中，所述第一射頻開關裝置、所述第二射頻開關裝置和所述第三射頻開關裝置中的所述匹配負載相同。