[發明專利]半導體裝置的形成方法在審
| 申請號： | 202011024630.4 | 申請日： | 2020-09-25 |
| 公開（公告）號： | CN112563209A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 林士豪;林建隆;楊智銓;包家豪;林京毅 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/8244 | 分類號： | H01L21/8244;H01L27/11 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 謝強;黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 形成 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體裝置的形成方法，包括：
接收一半導體基板，上述半導體基板具有一第一類型摻雜物的一第一摻雜區和一第二類型摻雜物的一第二摻雜區，上述第二摻雜區與上述第一摻雜區相鄰且上述第二類型摻雜物與上述第一類型摻雜物不同；
在上述第一摻雜區和上述第二摻雜區上方形成一堆疊，上述堆疊包括在上述堆疊內彼此交替的多個第一層和多個第二層，上述第一層的每一者具有一第一半導體材料，并且上述第二層的每一者具有與上述第一半導體材料不同的一第二半導體材料；
在上述堆疊上方形成一掩模元件，其中上述掩模元件在上述第二摻雜區上方的一通道區中暴露上述堆疊；
移除在上述通道區中暴露的上述堆疊的一頂部，以在上述第二摻雜區上方的上述通道區中形成一凹陷堆疊；以及
處理上述堆疊以在上述第一摻雜區上方形成具有一第一數量的上述第一層的一第一晶體管，并且在上述第二摻雜區上方形成具有一第二數量的上述第一層的一第二晶體管，上述第一數量大于上述第二數量。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
