[發(fā)明專利]半導體裝置的形成方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011024630.4
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112563209A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林士豪;林建隆;楊智銓;包家豪;林京毅
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8244
• 分類號: H01L21/8244;H01L27/11
• 代理公司: 隆天知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體裝置的形成方法，包括：

接收一半導體基板，上述半導體基板具有一第一類型摻雜物的一第一摻雜區(qū)和一第二類型摻雜物的一第二摻雜區(qū)，上述第二摻雜區(qū)與上述第一摻雜區(qū)相鄰且上述第二類型摻雜物與上述第一類型摻雜物不同；

在上述第一摻雜區(qū)和上述第二摻雜區(qū)上方形成一堆疊，上述堆疊包括在上述堆疊內(nèi)彼此交替的多個第一層和多個第二層，上述第一層的每一者具有一第一半導體材料，并且上述第二層的每一者具有與上述第一半導體材料不同的一第二半導體材料；

在上述堆疊上方形成一掩模元件，其中上述掩模元件在上述第二摻雜區(qū)上方的一通道區(qū)中暴露上述堆疊；

移除在上述通道區(qū)中暴露的上述堆疊的一頂部，以在上述第二摻雜區(qū)上方的上述通道區(qū)中形成一凹陷堆疊；以及

處理上述堆疊以在上述第一摻雜區(qū)上方形成具有一第一數(shù)量的上述第一層的一第一晶體管，并且在上述第二摻雜區(qū)上方形成具有一第二數(shù)量的上述第一層的一第二晶體管，上述第一數(shù)量大于上述第二數(shù)量。