[發明專利]三維半導體存儲器裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202011024561.7
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112670293A
• 公開（公告）日: 2021-04-16
• 發明（設計）人: 金成吉;金成珍;金智美;金廷奐;金贊炯
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L27/11563
• 分類號: H01L27/11563;H01L27/11578
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 趙南;張青

1.一種半導體存儲器裝置，包括：

堆疊結構，其包括交替地堆疊在襯底上的多個電極和多個介電層；

豎直溝道結構，其穿透所述堆疊結構；和

導電焊盤，其位于所述豎直溝道結構上，

其中，所述豎直溝道結構包括半導體圖案和位于所述半導體圖案與所述多個電極之間的豎直介電圖案，以及

其中，所述半導體圖案的上部包括雜質區，所述雜質區包括鹵素元素，所述上部與所述導電焊盤相鄰。

2.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述豎直溝道結構還包括填充介電圖案，

其中，所述半導體圖案位于所述豎直介電圖案與所述填充介電圖案之間，并且

其中，所述填充介電圖案具有低于所述豎直介電圖案的頂表面的頂表面。

3.根據權利要求2所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述半導體圖案具有低于所述豎直介電圖案的所述頂表面的頂表面，并且

其中，所述導電焊盤位于所述填充介電圖案的所述頂表面上并且位于所述半導體圖案的所述頂表面上。

4.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中所述導電焊盤在所述填充介電圖案的側壁的上部上，所述側壁的所述上部向上突出超過所述半導體圖案的所述頂表面。

5.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述填充介電圖案的所述頂表面的最上部分位于第一水平高度處，

其中，所述半導體圖案的所述頂表面的最上部分位于第二水平高度處，并且

其中，所述第二水平高度低于所述第一水平高度。

6.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，其中所述導電焊盤包括鄰近于所述半導體圖案的所述頂表面的間隙。

7.根據權利要求3所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述填充介電圖案的所述頂表面的最上部分位于第一水平高度處，

其中，所述半導體圖案的所述頂表面的最上部分位于第二水平高度處，并且

其中，所述第二水平高度高于所述第一水平高度。

8.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述鹵素元素包括氟、氯和溴中的至少一種，并且

其中，所述雜質區中的所述鹵素元素的原子百分比在1at％至5at％的范圍內。

9.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，

其中，所述導電焊盤包括第一焊盤和所述第一焊盤上的第二焊盤，

其中，所述第二焊盤在所述第一焊盤的頂表面上，并且

其中，所述半導體存儲器裝置還包括位于所述第二焊盤和所述第一焊盤的所述頂表面之間的氧化物邊界。

10.根據權利要求1所述的半導體存儲器裝置，其中所述雜質區還包括氧雜質、碳雜質或氮雜質。

11.一種半導體存儲器裝置，包括：

堆疊結構，其包括交替地堆疊在襯底上的多個電極和多個介電層；

豎直溝道結構，其穿透所述堆疊結構；和

導電焊盤，其位于所述豎直溝道結構上，

其中，所述豎直溝道結構包括填充介電圖案、半導體圖案和位于所述半導體圖案和所述多個電極之間的豎直介電圖案，

其中，所述半導體圖案位于所述豎直介電圖案與所述填充介電圖案之間，

其中，所述填充介電圖案具有低于所述豎直介電圖案的頂表面的頂表面，

其中，所述半導體圖案具有低于所述豎直介電圖案的所述頂表面的頂表面，

其中，所述填充介電圖案的所述頂表面的最上部分位于第一水平高度處，

其中，所述半導體圖案的所述頂表面的最上部分位于第二水平高度處，并且

其中，所述第一水平高度與所述第二水平高度彼此不同。