[發(fā)明專利]一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011024316.6 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112121297A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 方天成 | 申請(專利權(quán))人: | 方天成 |
| 主分類號(hào): | A61N1/04 | 分類號(hào): | A61N1/04;A61N1/18;A61N1/32;A61N1/40;A61N2/00;A61N2/04;A61N2/08 |
| 代理公司: | 合肥昊晟德專利代理事務(wù)所(普通合伙) 34153 | 代理人: | 顧煒燁 |
| 地址: | 230000*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 淺表 體液 循環(huán) 接觸 干預(yù) 裝置 | ||
1.一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:包括用于為腦脊液外加電場的電場組件、用于為腦脊液外加磁場的磁場組件,在所述電場組件產(chǎn)生的電場中的腦脊液在所述磁場組件的作用下產(chǎn)生安培力,通過安培力驅(qū)動(dòng)腦脊液流動(dòng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述電場組件包括第一電極與第二電極,所述第一電極、所述第二電極均設(shè)置在體表,并與外部供電正負(fù)極對應(yīng)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述磁場組件為永磁體,所述永磁體的充磁方向垂直于體表。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述永磁體設(shè)置在所述第一電極與所述第二電極之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述磁場組件為電磁線圈,所述電磁線圈通電后產(chǎn)生感生磁場。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述第一電極與所述第二電極的數(shù)量為多個(gè),各所述第一電極與各所述第二電極與外部供電的連接方式為串聯(lián)或并聯(lián)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述電場組件與所述磁場組件為一對共球面且中心連線正交的8字形線圈,該對所述8字形線圈在通電后產(chǎn)生感應(yīng)電場和磁場。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述電場組件為環(huán)形線圈,所述磁場組件包括內(nèi)永磁體柱、外永磁體環(huán),所述內(nèi)永磁體柱與所述外永磁體環(huán)的同心,所述內(nèi)永磁體柱、所述外永磁體環(huán)的充磁方向相反,均垂直于體表。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種淺表體液循環(huán)非接觸干預(yù)裝置,其特征在于:所述第一電極為圓環(huán)形電極片,所述第二電極為圓片電極,均設(shè)置在體表,所述磁場組件為永磁體盤,所述永磁體盤的充磁方向垂直于體表,所述永磁體盤設(shè)置在所述圓環(huán)形電極片與所述圓片電極之間,所述圓片電極位于所述圓環(huán)形電極片內(nèi)側(cè),所述永磁體盤內(nèi)部采用扇形間隔充磁方式,N極與S極間隔分布。
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