[發明專利]磁場可調的磁控濺射陰極

在審

• 申請號: 202011024220.X
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112176303A
• 公開（公告）日: 2021-01-05
• 發明（設計）人: 李國強;舒逸;劉光斗;李贊
• 申請（專利權）人: 湖南玉豐真空科學技術有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 湖南格創知識產權代理事務所(普通合伙) 43263
• 代理人: 張文

本發明公開了一種磁場可調的磁控濺射陰極，包括靶材、背板、磁體裝置、陰極底板以及屏蔽板，磁體裝置由在長度方向上的多塊獨立磁場模塊組成，每個獨立磁場模塊分別單獨通過調節組件與固定在陰極底板上的固定底板連接，調節組件包括調節螺母、調節螺桿、導向柱，調節螺母轉動連接在固定底板上，調節螺桿與調節螺母螺紋連接，調節螺桿穿過固定底板與獨立磁場模塊連接，固定底板上設有導向孔，導向柱一端與獨立磁場模塊固定連接，另一端與導向孔配合。本發明將磁體裝置在高度方向上分成多段獨立磁場模塊，每塊獨立磁場模塊均可通過調節螺母來實現前后移動，從而調節磁場前后的距離，實現高度方向上不同區域膜厚不一致的工藝生產要求。

技術領域

本發明涉及一種磁控濺射鍍膜裝置，特別是一種磁場可調的磁控濺射陰極。

背景技術

磁控濺射真空鍍膜是一種常用的鍍膜技術，磁控濺射鍍膜技術是對靶材施加負高壓，以靶材作為陰極，基片作為陽極，在靶材與基片之間形成電場，并通過在靶材背面的磁極提供磁場，利用磁場與電場交互作用，約束電子在靶表面附近螺旋狀運行，不斷撞擊氬氣產生離子，所產生的氬離子在電場作用下撞向靶面濺射出靶材原子，沉積在基片上獲得所需的薄膜層。目前，在磁控濺射鍍膜技術應用領域中，使用最廣泛的是平面磁控濺射陰極。傳統的陰極由于磁場是固定的，無法實現同一環境下基片高度方向上的不同膜厚的要求。

發明內容

針對以上現有技術的不足，本發明提供一種磁場可調的磁控濺射陰極，實現高度方向上不同區域膜厚不一致的工藝生產要求。

本發明采用的技術方案如下：磁場可調的磁控濺射陰極，包括靶材、背板、磁體裝置、陰極底板以及屏蔽板，所述磁體裝置由在長度方向上的多塊獨立磁場模塊組成，每個獨立磁場模塊分別單獨通過調節組件與固定在陰極底板上的固定底板連接，所述調節組件包括調節螺母、調節螺桿、導向柱，所述調節螺母轉動連接在固定底板上，所述調節螺桿與調節螺母螺紋連接，調節螺桿穿過固定底板與獨立磁場模塊連接，所述固定底板上設有導向孔，所述導向柱一端與獨立磁場模塊固定連接，另一端與導向孔配合。

進一步地，所述導向柱由與獨立磁場模塊連接的大直徑段以及與大直徑段連接的小直徑段組成，所述導向孔包括靠近獨立磁場模塊一側的大口徑段以及遠離獨立磁場模塊一側的小口徑段，所述導向柱的大直徑段與導向孔的大口徑段相配合，導向柱的小直徑段與導向孔的小口徑段相配合。

進一步地，每塊所述獨立磁場模塊處均對應設有作為調節距離參照依據的標尺桿。

進一步地，每塊所述獨立磁場模塊的長度一致。

進一步地，相鄰獨立磁場模塊之間相互靠緊。

進一步地，所述獨立磁場模塊的調節距離在5mm以內。

本發明磁場可調的磁控濺射陰極由現有的固定模式改為前后可調模式，其根據靶材長度以及基片工藝要求，將磁體裝置在高度方向上分成多段獨立磁場模塊，每塊獨立磁場模塊均通過導線柱和調節螺桿連接在固定底板上面，通過調節螺母來實現獨立磁場模塊的前后移動，從而調節磁場前后的距離，該陰極根據基片不同膜厚的區域來調節相應位置的磁場強弱用于控制該區域的輝光強弱以及能量大小來實現膜厚的厚薄工藝要求；通過分段的導向柱及導向孔的配合，可控制調節距離，并在每段位置都有獨立的標尺桿作為調節的距離的參照依據，調節方便可靠。

附圖說明

圖1是本發明的側面結構示意圖。

圖2是本發明的截面結構示意圖。

具體實施方式

為了便于理解本發明，下文將結合說明書附圖和較佳的實施例對本發明作更全面、細致地描述，但本發明的保護范圍并不限于以下具體的實施例。