[發(fā)明專利]包括射頻(RF)過渡的印刷電路板(PCB)的設(shè)備和系統(tǒng)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011023828.0 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN113056086A | 公開(公告)日: | 2021-06-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | O·馬基什;S·達爾米亞;A·阿馬吉克佩 | 申請(專利權(quán))人: | 英特爾公司 |
| 主分類號: | H05K1/02 | 分類號: | H05K1/02;H05K1/11 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 黃嵩泉;何焜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 包括 射頻 rf 過渡 印刷 電路板 pcb 設(shè)備 系統(tǒng) | ||
1.一種包括印刷電路板PCB的設(shè)備,所述PCB包括:
位于所述PCB的第一側(cè)上的球柵陣列BGA,所述BGA被配置成用于將表面貼裝設(shè)備SMD連接到所述PCB;
天線,所述天線被設(shè)置在所述PCB的與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)上,所述天線用于傳遞所述SMD的射頻RF信號;以及
RF過渡,所述RF過渡用于在所述BGA與所述天線之間載運所述RF信號,所述RF過渡包括:
多個信號埋孔;
第一多個微孔,所述第一多個微孔被配置成用于在所述多個信號埋孔與所述BGA的球之間載運所述RF信號,所述第一多個微孔相對于所述多個信號埋孔旋轉(zhuǎn)地不對準;以及
第二多個微孔,所述第二多個微孔被配置成用于在所述多個信號埋孔與所述天線之間載運所述RF信號,所述第二多個微孔相對于所述多個信號埋孔旋轉(zhuǎn)地不對準。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF過渡包括第一埋孔連接層和第二埋孔連接層,所述第一埋孔連接層用于將所述第一多個微孔連接到所述多個信號埋孔的第一端,所述第二埋孔連接層用于將所述第二多個微孔連接到所述多個信號埋孔的第二端。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一埋孔連接層的表面以平面方式連接到所述第一多個微孔,并且其中所述第二埋孔連接層的表面以平面方式連接到所述第二多個微孔。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF過渡包括第一微孔連接層和第二微孔連接層,所述第一微孔連接層用于將所述第一多個微孔連接到所述BGA的所述球,以及所述第二微孔連接層用于將所述第二多個微孔連接到所述天線。
5.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個信號埋孔被布置在第一環(huán)中,所述第一多個微孔被布置在與所述第一環(huán)同心的第二環(huán)中,并且所述第二多個微孔被布置在與所述第一環(huán)同心的第三環(huán)中。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其特征在于,所述BGA的所述球被設(shè)置在所述第一環(huán)的軸線上。
7.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述第一多個微孔的每個微孔與所述多個信號埋孔中的每一個信號埋孔旋轉(zhuǎn)地不對準,并且其中,所述第二多個微孔的每個微孔與所述多個信號埋孔中的每一個信號埋孔旋轉(zhuǎn)地不對準。
8.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF過渡包括:
在所述多個信號埋孔周圍的多個外圍埋孔;
第一多個交錯的微孔,所述第一多個交錯的微孔用于連接在所述多個外圍埋孔與所述BGA的所述球周圍的BGA的多個球之間,所述第一多個交錯的微孔相對于所述多個外圍埋孔是交錯的;以及
第二多個交錯的微孔,所述第二多個交錯的微孔用于將所述多個外圍埋孔接地,所述第二多個交錯的微孔相對于所述多個外圍埋孔是交錯的。
9.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF過渡包括:
第一多個微孔部分,所述第一多個微孔部分被配置成用于經(jīng)由所述PCB的多個第一層在所述BGA的球與所述多個信號埋孔之間載運所述RF信號;以及
第二多個微孔部分,所述第二多個微孔部分被配置成用于經(jīng)由所述PCB的多個第二層在所述多個信號埋孔與所述天線之間載運所述RF信號。
10.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其特征在于,所述多個埋孔包括至少三個埋孔,所述第一多個微孔包括至少三個微孔,并且所述第二多個微孔包括至少三個微孔。
11.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF信號包括30千兆赫茲GHz以上的頻帶中的RF信號。
12.如權(quán)利要求1-10中任一項所述的設(shè)備,其特征在于,所述RF信號包括76GHz與81GHz之間的頻帶中的RF信號。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于英特爾公司,未經(jīng)英特爾公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011023828.0/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 確定RF源與RF接收機之間的RF路徑損耗的系統(tǒng)和有關(guān)方法
- 用于等離子體處理的RF饋電結(jié)構(gòu)
- 用于適配RF傳輸磁場以進行圖像獲取的系統(tǒng)
- RF開關(guān)電路的控制器及RF開關(guān)電路網(wǎng)絡(luò)的控制系統(tǒng)
- RF開關(guān)電路的控制器及RF開關(guān)電路網(wǎng)絡(luò)的控制系統(tǒng)
- 具有相位控制的高效能三線圈感應(yīng)耦合等離子體源
- 獨立于鄰近度的SAR緩和
- 脈沖雙向射頻源/負載
- 一種低待機電流的汽車遙控控制主機
- 產(chǎn)生經(jīng)調(diào)制的頻率或經(jīng)相互調(diào)制的頻率的射頻產(chǎn)生器





