[發(fā)明專利]一種用于超高場動(dòng)物磁共振成像的高介電常數(shù)筒在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011023675.X | 申請(qǐng)日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112130104A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周欣;唐德港;石磊;韓葉清;孫獻(xiàn)平 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國科學(xué)院精密測量科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新研究院 |
| 主分類號(hào): | G01R33/28 | 分類號(hào): | G01R33/28;G01R33/34;A61B5/055 |
| 代理公司: | 武漢宇晨專利事務(wù)所 42001 | 代理人: | 李鵬;王敏鋒 |
| 地址: | 430071 湖*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 用于 超高 動(dòng)物 磁共振 成像 介電常數(shù) | ||
本發(fā)明涉及一種用于超高場動(dòng)物磁共振成像的高介電常數(shù)筒,包括外殼,外殼包括外殼體、內(nèi)殼體和頂蓋,外殼體和內(nèi)殼體均為圓筒狀,內(nèi)殼體同軸設(shè)置在外殼體中,內(nèi)殼體一端的端口與外殼體一端的端口之間通過環(huán)片一體化連接,外殼體內(nèi)壁和內(nèi)殼體外壁之間形成環(huán)狀放置空腔,環(huán)狀放置空腔一端為封閉端,另一端為開口端,環(huán)柱狀的高介電常數(shù)陶瓷設(shè)置在環(huán)狀放置空腔中,頂蓋蓋設(shè)在環(huán)狀放置空腔的開口端。本發(fā)明可應(yīng)用于超高場小動(dòng)物磁共振成像,可提高小樣品的圖像信噪比,并且解決了高介電常數(shù)材料帶來的射頻場不均勻性的問題。這種結(jié)構(gòu)制作方便,便于實(shí)驗(yàn)操作,而且對(duì)圖像質(zhì)量改善效果明顯。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及磁共振成像技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種用于超高場動(dòng)物磁共振成像的高介電常數(shù)筒。
背景技術(shù)
在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,由于磁共振成像(Magnetic resonance imaging,MRI)優(yōu)越的空間分辨率及其對(duì)軟組織出色的靈敏度和區(qū)分度等特點(diǎn),已經(jīng)成為醫(yī)學(xué)臨床檢測的一個(gè)重要診斷工具。超高場MRI提高了核磁共振的靈敏度,提供了更高的時(shí)空分辨率,其發(fā)展和臨床應(yīng)用越來越廣泛。研究表明,在磁共振成像區(qū)域的周圍填充高介電常數(shù)材料(Highpermittivity material,HPM)可以改變射頻場分布,可以通過HPM來改善MRI圖像質(zhì)量。
由于超高場動(dòng)物MRI的特點(diǎn),適用于動(dòng)物MRI的HPM結(jié)構(gòu)與人體MRI相比具有以下幾點(diǎn)不同:
1.長度不同。由于要覆蓋目標(biāo)組織區(qū)域,人體MRI采用的高介電常數(shù)襯墊長度較大。而動(dòng)物MRI的線圈內(nèi)可操作空間有限,只能采用較短的HPM結(jié)構(gòu)。
2.厚度不同。人體MRI采用的高介電常數(shù)襯墊厚度在10~15mm,而動(dòng)物MRI內(nèi)的HPM結(jié)構(gòu)由于空間有限只能采用較小的厚度,同時(shí)厚度過大會(huì)使線圈和HPM結(jié)構(gòu)的距離太近,寄生電容不可忽略,導(dǎo)致線圈損耗增大,品質(zhì)因數(shù)Q降低。
3.幾何形狀不同。人體MRI采用的高介電常數(shù)襯墊多為方形,置于目標(biāo)組織區(qū)域附近來改變射頻場分布。對(duì)于動(dòng)物MRI而言,改善射頻場分布的區(qū)域需要覆蓋整個(gè)動(dòng)物軀干。方形襯墊雖然可以提高附近區(qū)域的發(fā)射效率,但是其提升效果在靠近襯墊區(qū)域最為明顯,距離越遠(yuǎn),效果越差,這會(huì)嚴(yán)重影響射頻場的均勻性。因此方形HPM結(jié)構(gòu)并不適用于動(dòng)物MRI。
4.HPM結(jié)構(gòu)材料不同。人體MRI采用的高介電常數(shù)襯墊大多采用鈦酸鋇粉末和水的均勻混合物制成,襯墊的電導(dǎo)率較高。對(duì)于動(dòng)物MRI而言,在操作空間有限的線圈內(nèi)放置高電導(dǎo)率的HPM結(jié)構(gòu),會(huì)嚴(yán)重降低線圈的Q值,達(dá)不到提高發(fā)射效率的目的。
因此,需要開發(fā)一種適用于超高場動(dòng)物MRI中的HPM結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷,提供一種用于超高場動(dòng)物磁共振成像的高介電常數(shù)筒。本發(fā)明制作工藝簡單,獨(dú)立于線圈和樣品之外,操作方便,同時(shí)對(duì)MRI圖像質(zhì)量改善效果明顯。
為了解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是:
一種用于超高場動(dòng)物磁共振成像的高介電常數(shù)筒,包括外殼,外殼包括外殼體、內(nèi)殼體和頂蓋,外殼體和內(nèi)殼體均為圓筒狀,內(nèi)殼體同軸設(shè)置在外殼體中,內(nèi)殼體一端的端口與外殼體一端的端口之間通過環(huán)片一體化連接,外殼體內(nèi)壁和內(nèi)殼體外壁之間形成環(huán)狀放置空腔,環(huán)狀放置空腔一端為封閉端,另一端為開口端,環(huán)柱狀的高介電常數(shù)陶瓷設(shè)置在環(huán)狀放置空腔中,頂蓋蓋設(shè)在環(huán)狀放置空腔的開口端。
如上所述的高介電常數(shù)陶瓷為鈦酸鋇陶瓷。
如上所述的頂蓋通過玻璃膠或者AB膠密封粘接在環(huán)狀放置空腔的開口端。
如上所述的外殼體和內(nèi)殼體的壁厚均為2~3mm,內(nèi)殼體的內(nèi)徑為17~18mm,環(huán)片的厚度為6~10mm;
內(nèi)殼體和外殼體之間的徑向距離為8~10mm,內(nèi)殼體、外殼體和鈦酸鋇陶瓷的長度均為140~150mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中國科學(xué)院精密測量科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新研究院,未經(jīng)中國科學(xué)院精密測量科學(xué)與技術(shù)創(chuàng)新研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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