[發(fā)明專利]一種多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011023204.9
• 申請(qǐng)日: 2020-09-25
• 公開（公告）號(hào): CN114252239A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜繼東;吳柯萱;張鑫;楊海生;王志
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 北京振興計(jì)量測試研究所
• 主分類號(hào): G01M11/02
• 分類號(hào): G01M11/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，包括復(fù)合光源、靶標(biāo)、準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)；所述復(fù)合光源采用積分球構(gòu)型，用于輸出寬光譜范圍的復(fù)合光束；所述靶標(biāo)固定在所述準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)的焦平面上，所述靶標(biāo)中心開設(shè)圓孔，所述圓孔中心位于準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)的零像差點(diǎn)上；所述準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)用于復(fù)合光束的反射、準(zhǔn)直及出射。

2.如權(quán)利要求1所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)的出光口對(duì)準(zhǔn)被測光電探測設(shè)備，所述被測光電探測設(shè)備還連接帶有圖像采集卡、AD轉(zhuǎn)換板卡的計(jì)算機(jī)，所述圖像采集卡采集被測光電探測設(shè)備輸出的圖像信號(hào)，所述AD轉(zhuǎn)換板卡接收被測光電探測設(shè)備輸出的電壓或者電流模擬信號(hào)，進(jìn)行數(shù)字圖形采集處理，計(jì)算光軸間偏差。

3.如權(quán)利要求1所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述積分球包括一個(gè)出口，所述積分球殼體正對(duì)出口處設(shè)置紅外輻射光源，所述積分球殼體上還安裝有用于安裝激光輸出光纖的激光尾纖接口以及可見光光源。

4.如權(quán)利要求3所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述激光尾纖接口為標(biāo)準(zhǔn)光纖法蘭；所述可見光光源為可見光燈泡；所述紅外輻射光源采用灰體材料，所述灰體材料的背部安裝加熱片。

5.如權(quán)利要求4所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述灰體材料的發(fā)射率為0.4～0.6。

6.如權(quán)利要求3所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述積分球直徑范圍為10mm～500mm，光譜范圍覆蓋0.4μm～12μm。

7.如權(quán)利要求1所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述靶標(biāo)基底為特種不銹鋼薄片，所述靶標(biāo)背向復(fù)合光源的一側(cè)為高發(fā)射率噴涂材料。

8.如權(quán)利要求7所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述靶標(biāo)基底厚度不大于0.1mm，所述靶標(biāo)圓孔為入光側(cè)直徑大、出光側(cè)直徑小的錐形孔。

9.如權(quán)利要求1所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述準(zhǔn)直光學(xué)系統(tǒng)包括離軸拋物面鏡和平面反射鏡，所述平面反射鏡將通過靶標(biāo)的復(fù)合光束反射至離軸拋物面鏡。

10.如權(quán)利要求9所述的多光譜復(fù)合光電探測設(shè)備光軸校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述離軸拋物面鏡口徑范圍為100mm以上，曲率半徑范圍為2000mm～5000mm；所述平面反射鏡口徑范圍為60mm～140mm；所述離軸拋物面鏡和平面反射鏡鍍金屬反射膜層，反射光譜范圍為0.4μm～12μm，反射率不低于90％。