[發(fā)明專利]一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜及其制備方法與應(yīng)用在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011023005.8 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN112143020A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬英一;賀子安 | 申請(專利權(quán))人: | 哈爾濱理工大學(xué) |
| 主分類號: | C08J9/28 | 分類號: | C08J9/28;C08J5/18;C08L79/08;C08L83/07 |
| 代理公司: | 北京東方盛凡知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11562 | 代理人: | 張換君 |
| 地址: | 150080 黑龍*** | 國省代碼: | 黑龍江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 低介電 聚酰亞胺 復(fù)合 薄膜 及其 制備 方法 應(yīng)用 | ||
1.一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜,其特征在于,包含籠型聚倍半硅氧烷和微米級的多孔結(jié)構(gòu),所述微米級的多孔結(jié)構(gòu)包括上層孔洞和下層孔洞,所述上層孔洞的大小均一且有序性較好,平均孔徑約為2~3μm,每個(gè)孔洞周圍都被其他六個(gè)孔洞圍繞,形成類似于蜂巢狀的結(jié)構(gòu),所述下層孔洞的大小均一性較差,無有序排列;同時(shí)籠型聚半硅氧烷分布于微米級多孔結(jié)構(gòu)的骨架。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜,其特征在于,所述籠型聚倍半硅氧烷為八乙烯基-籠型聚倍半硅氧烷。
3.一種權(quán)利要求1或2所述的抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
(1)將籠型聚倍半硅氧烷、兩親性物質(zhì)和聚酰亞胺同時(shí)溶于有機(jī)溶劑中,制備含籠型聚倍半硅氧烷的有機(jī)溶液;
(2)將去離子水與步驟(1)中制備的含籠型聚倍半硅氧烷的有機(jī)溶液混合、乳化、過濾,制備含籠型聚倍半硅氧烷的微乳液;
(3)將步驟(2)制備的含籠型聚倍半硅氧烷的微乳液澆筑在基底上,即得聚酰亞胺復(fù)合薄膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)有機(jī)溶液中聚酰亞胺濃度為0.1~20mg/mL;有機(jī)溶液中籠型聚倍半硅氧烷濃度為0.01~10mg/mL;有機(jī)溶液中兩親性物質(zhì)濃度為0.001~1mg/mL。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(1)中所述的兩親性物質(zhì)為十六烷基三甲基溴化銨、雙十二烷基二甲基溴化銨或聚環(huán)氧乙烷-聚環(huán)氧丙烷-聚環(huán)氧乙烷中一種或幾種;所述的有機(jī)溶劑為二硫化碳、四氫呋喃或二氯甲烷中一種或幾種。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)中含籠型聚倍半硅氧烷的有機(jī)溶液和去離子水的體積比為5:1~50:1。
7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(2)中所述過濾為有機(jī)過濾,所述有機(jī)過濾使用的濾頭為有機(jī)濾頭,所述有機(jī)濾頭中孔洞尺寸為150~300nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法,其特征在于,步驟(3)中澆筑在濕度為30%~50%,溫度為25~35℃的條件下進(jìn)行;所述的基底為聚酰亞胺平膜、玻璃、云母或硅片。
9.權(quán)利要求1或2所述的一種抗水、低介電聚酰亞胺復(fù)合薄膜作為封裝材料在微電子和5G領(lǐng)域中的應(yīng)用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的的應(yīng)用,其特征在于,所述應(yīng)用是作為環(huán)境濕度高于75%的環(huán)境下的封裝材料。
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C08J 加工;配料的一般工藝過程;不包括在C08B,C08C,C08F,C08G或C08H小類中的后處理
C08J9-00 高分子物質(zhì)加工成多孔或蜂窩狀制品或材料:它們的后處理
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