[發明專利]具有發光二極管的顯示裝置的形成方法

在審

• 申請號: 202011022621.1
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN113035898A
• 公開（公告）日: 2021-06-25
• 發明（設計）人: 陳立宜
• 申請（專利權）人: 美科米尚技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/62
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張琳

1.一種具有發光二極管的顯示裝置的形成方法，其特征在于，包含：

準備基板，其中該基板包含上表面及位于該上表面上方的第一導電墊以及第二導電墊；

接合發光二極管至該第一導電墊上，該發光二極管包含下部電極、位于該下部電極上的第一型半導體層、位于該第一型半導體層上的主動層以及位于該主動層上的第二型半導體層，其中當該發光二極管接合至該第一導電墊時，該下部電極接觸該第一導電墊；

形成光阻層于該基板上以覆蓋該基板的該上表面、該第一導電墊、該第二導電墊以及該發光二極管，使得該光阻層位于該發光二極管上方的一部份的厚度以及該光阻層不與該發光二極管及該第二導電墊重疊的另一部分的厚度之間的差距大于自該第二型半導體層與該主動層之間的界面至該基板的該上表面的距離；

用第一曝光量曝光該光阻層的第一曝光區域以及用第二曝光量曝光該光阻層的第二曝光區域，其中該第一曝光區域在該基板上的垂直投影與該第二導電墊在該基板上的垂直投影分開，且該第二曝光區域在該基板上的垂直投影與該第二導電墊在該基板上的垂直投影重疊；以及

顯影曝光后的該光阻層直到該發光二極管的該第二型半導體層的上表面以及該第二導電墊的上表面自該光阻層曝露。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中曝露該光阻層是借由光罩執行。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第一曝光量以及該第二曝光量是分別由第一曝光時間及不同于該第一曝光時間的第二曝光時間所決定。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第一曝光量以及該第二曝光量是分別由激光掃描過程中的第一激光脈沖數量以及不同于該第一激光脈沖數量的第二激光脈沖數量所決定。

5.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，還包含：

形成與該第二型半導體層的該上表面以及該第二導電墊的該上表面接觸的上部電極，使得該發光二極管與該第二導電墊電性連接。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，其中該上部電極為透明的。

7.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該光阻層的材料為正光阻，且該第二曝光量大于該第一曝光量。

8.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該光阻層是借由旋轉涂布或狹縫涂布形成。

9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該光阻層位于該第二導電墊上的一部份的厚度大于該光阻層位于該發光二極管上的該部分的該厚度。

10.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該第二型半導體層的厚度與該第一型半導體層的厚度之間的比例大于或等于1.5。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，其中該第一型半導體層為P型半導體層，且該第二型半導體層為N型半導體層。

12.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該光阻層包含高折射率的納米粒子。

13.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中該下部電極的厚度與該第一導電墊的厚度的總和小于或等于2微米。

14.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，其中顯影后的該光阻層的厚度大于或等于2微米。