[發明專利]碳化硼微粉提純方法、碳化硼陶瓷及碳化硼陶瓷制備方法在審
| 申請號: | 202011022164.6 | 申請日: | 2020-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN112125680A | 公開(公告)日: | 2020-12-25 |
| 發明(設計)人: | 史彥民;徐正平;龍成勇;曹劍武;徐乃安 | 申請(專利權)人: | 揚州北方三山工業陶瓷有限公司 |
| 主分類號: | C04B35/626 | 分類號: | C04B35/626;C04B35/563;C04B35/64 |
| 代理公司: | 揚州潤中專利代理事務所(普通合伙) 32315 | 代理人: | 張琳 |
| 地址: | 225200 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 碳化 硼微粉 提純 方法 陶瓷 制備 | ||
1.一種碳化硼微粉提純方法,其特征在于,包括如下步驟:
1)均化研磨,以市售W3.5系列的碳化硼微粉原料為基礎,將碳化硼微粉原料配制成固含量為50%的漿料,采用高速攪拌磨將碳化硼微粉原料研磨至2±0.2μm時停止研磨,將研磨好的漿料加入0.05-0.15%重量比的高分子沉淀劑,將漿料導入到靜置桶中靜置,去除上清液得到碳化硼泥塊,將碳化硼泥塊取出通過擠泥機將碳化硼泥塊進一步脫水,擠成長方形泥條,烘干備用;
2)真空熱處理提純,采用真空高溫燒結方式對碳化硼進行反應提純,將烘干后的碳化硼泥塊放置于真空燒結爐內,熱處理溫度為1600-1700℃,保溫3-4h,爐內真空度保持在30Pa以下,停爐后冷卻至80℃出爐;
3)二次研磨,將熱處理后的碳化硼泥塊取出,采用顎式破碎機將碳化硼泥塊破碎成直徑小于5mm的碎塊,將破碎好的碎塊加入到球磨機中進行粗磨和精磨,當微粉D50為2.0±0.2μm時,結束研磨,將碳化硼漿料采用噴霧造粒的方式進行烘干制粉。
2.根據權利要求1所述碳化硼微粉提純方法,其特征在于,步驟1)中采用單循環高速攪拌磨對碳化硼微粉原料進行研磨,研磨參數為:高速攪拌磨容量為500L、轉速650r/min、磨介為直徑為3mm的碳化硼微球、碳化硼微球裝載量為120kg、單磨微粉裝載量為200kg,去離子水200kg。
3.根據權利要求1所述碳化硼微粉提純方法,其特征在于,步驟1)中漿料導入到靜置桶中,加入0.05-0.15%重量比的聚丙烯酰胺,靜置48h。
4.根據權利要求1所述碳化硼微粉提純方法,其特征在于,步驟2)真空燒結爐為石墨坩堝爐。
5.根據權利要求1所述碳化硼微粉提純方法,其特征在于,步驟3)中球磨機進行粗磨的主要參數為:球料比為2.5:1、研磨球為直徑16mm的碳化硼球、水料比為1:1、研磨時間為24h;精磨采用單循環高速攪拌磨,研磨參數為:高速攪拌磨容量為500L、轉速650r/min、磨介為直徑為3mm的碳化硼微球、碳化硼微球裝載量為120kg、單磨微粉裝載量為200kg,去離子水200kg。
6.采用權利要求1-5任一方法提后純碳化硼微粉的碳化硼陶瓷,其特征在于,按照重量份由以下成分構成:碳化硼微粉100份、液體炭黑5-8份、亞微米氮化鋁微粉0.5-1份、鈦酸酯偶聯劑2-6份、水溶性酚醛樹脂10-15份、水溶性丙烯酸膠5-8份、聚乙二醇2-4份、甘油1-2份、去離子水80-100份、須型多壁碳納米管0-2份、Ti--Si-C三元MAX相微粉0-3份,液體炭黑的固含量為40wt%,鈦酸酯偶聯劑中的Ti元素含量為10wt%,水溶性酚醛樹脂的殘碳率為35%,、Ti--Si-C三元MAX相微粉D50為1.5微米。
7.根據權利要求6所述碳化硼陶瓷,其特征在于,所述Ti-Si-C三元MAX相微粉為一種Ti3SiC2MAX相與TiC的混合粉末,其中Ti3SiC2MAX相質量分數在88-92%,其余為TiC相。
8.如權利要求6或7所述的碳化硼陶瓷制備方法,其特征在于,包括如下步驟:
S1球磨制漿:將各成分進行稱重,然后將各成分一次加入到球磨機中,其中所用磨介為直徑為12mm的碳化硼球,球料比為3:1,球磨機轉速為30r/min,球磨時間為48h;
S2噴霧造粒:球磨完成后將漿料導入至低速攪拌桶中,采用離心式噴霧造粒塔進行噴料,噴霧造粒塔主要參數如下:進風口溫度200-220℃、出風口溫度100-120℃、噴頭轉速為300r/min、進漿量50L/h,造粒粉為實心球;S3生坯壓制:采用干壓-等靜壓方式進行成型,采用液壓機將造粒粉干壓成所需的尺寸及形狀的生坯,然后將生坯進行真空密封,將真空密封后的生坯用等靜壓進行二次加壓,從而提高生坯的密度,所得碳化硼生坯的生坯密度為1.75±0.2g/cm3;
S4無壓燒成:將壓制好的生坯進行真空脫膠處理,脫膠溫度為1650℃保溫2h,將生坯中的有機物完全分解發揮,將脫膠后的生坯依次擺放在石墨窯具之中,將窯具推入窯爐之中,所用高溫真空燒結爐為微波輔助燒結真空燒結爐,微波輔助燒結真空燒結爐的兩側爐門位置上加裝微波發生裝置,由兩側爐門向窯爐內部輻射微波,使爐內溫度場更為均勻,燒成溫度范圍在2180℃-2230℃,時間為1h。
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