[發明專利]納米壓印工藝監測裝置、方法和納米壓印設備

在審

• 申請號: 202011022126.0
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN111929987A
• 公開（公告）日: 2020-11-13
• 發明（設計）人: 臧法珩;趙東峰;李琨;董立超;杜凱凱;艾立夫;王喆;饒軼
• 申請（專利權）人: 歌爾股份有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述納米壓印工藝監測裝置包括可移動的載物臺、固定的光學監測臺、及與所述光學監測臺電連接的處理器，所述載物臺用以安裝待測晶圓，所述待測晶圓具有多個監測位置，所述監測位置設有PCM模塊，所述光學監測臺用于產生定向監測光路；

安裝有待測晶圓的所述載物臺移動，以使待測晶圓上多個監測位置的PCM模塊逐一移動至所述光學監測臺的定向監測光路上，而使所述光學監測臺能遍歷所述多個監測位置，且所述光學監測臺逐一獲取多個所述監測位置上PCM模塊所分別反饋的監測光信息；所述處理器從所述光學監測臺獲取多個所述監測光信息，并根據多個所述監測光信息判斷待測晶圓上多個所述監測位置是否合格。

2.如權利要求1所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述載物臺通過旋轉、平移和升降中的至少一種移動方式進行移動，以使待測晶圓上多個監測位置的PCM模塊逐一移動至所述光學監測臺的定向監測光路上。

3.如權利要求1所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，待測晶圓的晶圓單面或晶圓雙面上具有芯片區域、及環設于所述芯片區域外周的非功能區域，所述芯片區域設有多個芯片單元；

每一芯片單元設有一所述PCM模塊，以在每一芯片單元處形成一所述監測位置；及/或

所述非功能區域上設有多個所述PCM模塊，以在所述非功能區域上形成多個所述監測位置。

4.如權利要求3所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述非功能區域上的多個所述PCM模塊在待測晶圓的周向上均勻間隔設置。

5.如權利要求1所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述PCM模塊為納米光柵。

6.如權利要求1所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述納米壓印工藝監測裝置還包括告警模塊，用于在判定所述監測位置為不合格時發出警告。

7.如權利要求1至6任一項所述的納米壓印工藝監測裝置，其特征在于，所述光學監測臺包括光源和成像模塊，所述光源用于定向發送監測光，以形成所述定向監測光路，所述成像模塊用于接收所述監測光信息，所述監測光信息包括所述PCM模塊的反射光所形成的反射光斑。

8.一種納米壓印工藝監測方法，其特征在于，所述納米壓印工藝監測方法包括以下步驟：

S100、安裝有待測晶圓的載物臺移動，以使待測晶圓上多個監測位置的PCM模塊逐一移動至固定的光學監測臺的定向監測光路上，而使所述光學監測臺能遍歷所述多個監測位置，且所述光學監測臺逐一獲取多個所述監測位置上PCM模塊所分別反饋的監測光信息；

S200、處理器從所述光學監測臺獲取多個所述監測光信息，并根據多個所述監測光信息判斷待測晶圓上多個所述監測位置是否合格。

9.如權利要求8所述的納米壓印工藝監測方法，其特征在于，在所述S100中，所述載物臺通過旋轉、平移和升降中的至少一種移動方式進行移動，以使待測晶圓上多個監測位置的PCM模塊逐一移動至所述光學監測臺的定向監測光路上。

10.如權利要求8所述的納米壓印工藝監測方法，其特征在于，待測晶圓的晶圓單面或晶圓雙面上具有芯片區域、及環設于所述芯片區域外周的非功能區域，所述芯片區域設有多個芯片單元；

每一芯片單元設有一所述PCM模塊，以在每一芯片單元處形成一所述監測位置；及/或

所述非功能區域上設有多個所述PCM模塊，以在所述非功能區域上形成多個所述監測位置。

11.如權利要求8所述的納米壓印工藝監測方法，其特征在于，在所述S200之后，所述納米壓印工藝監測方法還包括步驟：

S300、在所述處理器判定所述監測位置為不合格時，告警模塊發出警告。