[發明專利]一種GIL局部放電源定位方法和系統

有效

• 申請號: 202011021369.2
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112147470B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 臧奕茗;錢勇;王輝;李澤;舒博;盛戈皞;江秀臣
• 申請（專利權）人: 上海交通大學
• 主分類號: G01R31/12
• 分類號: G01R31/12
• 代理公司: 上海東信專利商標事務所(普通合伙) 31228
• 代理人: 楊丹莉;李丹

1.一種GIL局部放電源定位方法，其特征在于，包括步驟：

(1)建立與實際GIL尺寸完全相同的仿真模型，并對所述仿真模型的局部放電源進行光學信號仿真，以構建局部放電仿真指紋庫Ψ；其中步驟(1)包括：

(a)在所述仿真模型中選取N個點模擬局部放電源的位置；

(b)采用M個仿真探測點對各局部放電源的光輻照度進行采集；

(c)將各仿真探測點的局部放電信號互相相減，以得到兩個仿真探測點之間的光輻照度差值δ′_h,j：

其中，D表示相減后的局部放電仿真指紋的維數，和分別表示仿真探測點a和b采集到的位于第j個位置的局部放電源所散發的光輻照度，M對應于M個仿真探測點，Z表示正整數；

(d)將同一個局部放電源的所有光輻照度差值進行歸一化處理，得到歸一化處理后的光伏照度值δ_h,j；

(e)采用主成分分析特征提取算法，對N個向量[δ_1,j,δ_2,j,…,δ_D,j]^T提取P個主成分來作為局部放電仿真指紋列向量

(f)將所有的局部放電仿真指紋列向量Ψ_j組合，構建光學局部放電仿真指紋庫Ψ：

其中，P對應上述P個主成分，以表示仿真指紋的維度，并且PD；N對應上文所述的N個點，以表示仿真局部放電源的數量，j＝1,2，……N；

(2)擬合出GIL中所有位置的局部放電指紋，以將所述光學局部放電仿真指紋庫Ψ擴展為Ψ’；

(3)構建Bagging-KELM模型，所述Bagging-KELM模型具有若干個基分類器，采用Bagging算法對擴展后的光學局部放電仿真指紋庫Ψ’進行重新采樣，以獲得隨機選擇的若干個子指紋庫，所述若干個子指紋庫與若干個基分類器對應，采用各子指紋庫對各基分類器進行訓練，以使得每一個基分類器均輸出局部放電源的位置坐標，所述Bagging-KELM模型的輸出為各基分類器輸出的局部放電源的位置坐標的平均值；

(4)將實際檢測到的GIL局部放電的光學指紋輸入到經過訓練的Bagging-KELM模型中，以輸出得到實際局部放電源的位置。

2.如權利要求1所述的GIL局部放電源定位方法，其特征在于，在所述步驟(2)中，采用雙調和樣條插值法擬合出GIL中所有位置的局部放電指紋。

3.如權利要求1所述的GIL局部放電源定位方法，其特征在于，所述基分類器的數量為10個。

4.如權利要求1所述的GIL局部放電源定位方法，其特征在于，在所述步驟(4)中，采用光學傳感器獲得GIL局部放電的光學指紋。