[發明專利]一種淺溝槽隔離結構的制作方法

有效

• 申請號: 202011021046.3
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN111933568B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 蔡明洋;陶磊;王厚有;馮永波
• 申請（專利權）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號: H01L21/762
• 分類號: H01L21/762
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 苗曉娟

1.一種淺溝槽隔離結構的制作方法，其特征在于，包括如下過程：

提供一半導體襯底；

在所述半導體襯底上形成一硬掩膜層，其中，所述硬掩膜層具有掩膜開口，所述掩膜開口的寬度等于待形成的淺溝槽的開口寬度；

在所述掩膜開口下方的所述半導體襯底內形成保護層；

在所述掩膜開口內的兩側壁體上各形成一調整側壁，其中，所述調整側壁之間的寬度等于待形成淺溝槽的底部寬度；

提供一蝕刻劑，所述蝕刻劑對所述保護層和所述調整側壁具有不同蝕刻選擇比；

縱向干法蝕刻所述掩膜開口內的所述調整側壁、所述保護層和所述半導體襯底，直至形成所述淺溝槽；

其中，所述保護層由暴露于所述掩膜開口處的所述半導體襯底表面經熱氧化形成；

所述熱氧化的溫度在850~950℃之間。

2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述掩膜開口內的兩側壁體上各形成一調整側壁，并使兩側調整側壁之間的寬度等于待形成所述淺溝槽的底部寬度的過程包括：

在所述硬掩膜層上方和所述掩膜開口內的側壁及所述保護層上形成一調整層；

干法蝕刻去除所述硬掩膜層上部和所述保護層上部的所述調整層，以在所述掩膜開口兩側壁形成所述調整側壁。

3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，形成所述調整層的方法包括化學氣相沉積法。

4.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述調整側壁為氮化物層。

5.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述半導體襯底為硅襯底，所述保護層為氧化硅層。

6.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述制作方法還包括在所述淺溝槽形成后采用介電材料填充所述淺溝槽的過程。

7.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述介電材料為二氧化硅。

8.根據權利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述介電材料采用淀積工藝填充。