[發明專利]圖像傳感器

在審

• 申請號: 202011020219.X
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN113395467A
• 公開（公告）日: 2021-09-14
• 發明（設計）人: 張在亨
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: H04N5/369
• 分類號: H04N5/369;H04N5/378
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 劉久亮;黃綸偉

1.一種圖像傳感器，該圖像傳感器包括：

檢測區域，該檢測區域被構造為包括第一解調節點和第二解調節點以在基板中生成電流并捕獲所述基板中響應于入射光而生成并沿著所述電流移動的光電荷；

第一像素晶體管區域，該第一像素晶體管區域設置在所述檢測區域的一側，并且被配置為包括處理由所述第一解調節點捕獲的所述光電荷的多個晶體管；以及

第二像素晶體管區域，該第二像素晶體管區域設置在所述檢測區域的另一側，并且被配置為包括處理由所述第二解調節點捕獲的所述光電荷的多個晶體管。

2.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中，所述第一像素晶體管區域包括接觸與所述第一像素晶體管區域相鄰設置的穩壓區域的第一P阱區域；并且

所述第二像素晶體管區域包括接觸與所述第二像素晶體管區域相鄰設置的另一穩壓區域的第二P阱區域。

3.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中：

設置在所述檢測區域的所述另一側的所述另一穩壓區域與設置在位于所述第二像素晶體管區域的一側的鄰接像素的第一像素晶體管區域下方的另一P阱區域接觸。

4.根據權利要求2所述的圖像傳感器，其中：

所述穩壓區域和所述另一穩壓區域被配置為接收接地電壓。

5.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中：

所述第一解調節點和所述第一像素晶體管區域分別關于所述檢測區域的中心與所述第二解調節點和所述第二像素晶體管區域對稱布置。

6.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中：

所述第一像素晶體管區域和所述第二像素晶體管區域中的每一個包括第一晶體管組和第二晶體管組，該第一晶體管組包括重置晶體管和轉移晶體管，該第二晶體管組包括選擇晶體管和驅動晶體管。

7.根據權利要求1所述的圖像傳感器，其中：

所述一側和所述另一側是所述檢測區域的相對兩側。

8.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中，在所述第一像素晶體管區域和所述第二像素晶體管區域中的每一個中，所述第一晶體管組設置在所述第二晶體管組上方。

9.根據權利要求6所述的圖像傳感器，該圖像傳感器還包括：

穩壓區域，該穩壓區域設置在所述第一像素晶體管區域或所述第二像素晶體管區域的所述第一晶體管組和所述第二晶體管組之間，并且摻雜有P型雜質。

10.根據權利要求6所述的圖像傳感器，其中：

所述第一像素晶體管區域的所述第一晶體管組和所述第二晶體管組設置在所述檢測區域的兩個不同側。

11.根據權利要求10所述的圖像傳感器，其中：

所述第二像素晶體管區域的所述第一晶體管組和所述第二晶體管組設置在所述檢測區域的兩個不同側。

12.根據權利要求11所述的圖像傳感器，其中：

在所述第一像素晶體管區域或所述第二像素晶體管區域中，所述第一晶體管組的重置晶體管和所述第二晶體管組的驅動晶體管彼此聯接。

13.根據權利要求11所述的圖像傳感器，該圖像傳感器還包括：

穩壓區域，該穩壓區域設置在所述第一像素晶體管區域的所述第二晶體管組的左側或所述第二像素晶體管區域的所述第二晶體管組的右側，并且摻雜有P型雜質。

14.根據權利要求11所述的圖像傳感器，該圖像傳感器還包括：

穩壓區域，該穩壓區域設置在所述第一像素晶體管區域或所述第二像素晶體管區域中并且在所述第一像素晶體管區域或所述第二像素晶體管區域的所述第一晶體管組的左側和右側，該穩壓區域摻雜有P型雜質。