[發(fā)明專利]阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的方法、電路及電荷泵在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011020212.8 | 申請(qǐng)日： | 2020-09-24 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN111934665A | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-11-13 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李征 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 江蘇應(yīng)能微電子有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03K17/687 | 分類號(hào)： | H03K17/687 |
| 代理公司： | 北京澤方譽(yù)航專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11884 | 代理人： | 陳照輝 |
| 地址： | 213022 江蘇省*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 阻擋 mos 寄生 二極管 方法 電路 電荷 | ||
1.一種阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的方法，其特征在于，該方法包括：
將主MOS管的柵極與輔助MOS管的柵極相連；
將所述主MOS管的基極與所述輔助MOS管的源極、所述輔助MOS管的基極相連；
將所述主MOS管的源極與所述輔助MOS管的漏極相連。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的方法，其特征在于，所述主MOS管與所述輔助MOS管均為P型MOS管。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的方法，其特征在于，所述主MOS管與所述輔助MOS管均為N型MOS管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3之一所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的方法，其特征在于，所述主MOS管開(kāi)啟閾值電壓要小于或者等于所述輔助MOS管的開(kāi)啟閾值電壓與寄生二極管的壓降之和。
5.一種阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路，其特征在于，該電路包括主MOS管和輔助MOS管；其中，所述主MOS管的柵極與所述輔助MOS管的柵極連接；所述主MOS管的基極與所述輔助MOS管的源極、所述輔助MOS管的基極連接；所述主MOS管的源極與所述輔助MOS管的漏極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路，其特征在于，所述主MOS管與所述輔助MOS管均為P型MOS管，其中，所述主MOS管的柵極G1與所述輔助MOS管的柵極G2連接，所述主MOS管的基極B1與所述輔助MOS管的源極S2、所述輔助MOS管的基極B2連接，所述主MOS管的源極S1與所述輔助MOS管的漏極D2連接，所述主MOS管的漏極D1與主MOS管的寄生二極管D1A的陽(yáng)極連接，所述寄生二極管D1A的陰極與所述主MOS管的二極管D1B的陰極、所述主MOS管的基極B1連接，所述二極管D1B的陽(yáng)極與所述主MOS管的源極S1連接，所述輔助MOS管的二極管D2A的陽(yáng)極與輔助MOS管的漏極D2連接，所述二極管D2A的陰極與所述輔助MOS管的源極S2連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路，其特征在于，所述主MOS管開(kāi)啟閾值電壓要小于或者等于所述輔助MOS管的開(kāi)啟閾值電壓與寄生二極管D1A的壓降之和。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路，其特征在于，所述主MOS管與所述輔助MOS管均為N型MOS管，其中，所述主MOS管的柵極G3與所述輔助MOS管的柵極G4連接，所述主MOS管的基極B3與所述輔助MOS管的源極S3、所述輔助MOS管的基極B4連接，所述主MOS管的源極S3與所述輔助MOS管的漏極D4連接，所述主MOS管的漏極D3與主MOS管的寄生二極管D3A的陰極連接，所述寄生二極管D3A的陽(yáng)極與所述主MOS管的二極管D3B的陽(yáng)極、所述主MOS管的基極B3連接，所述二極管D3B的陰極與所述主MOS管的源極S3連接，所述輔助MOS管的二極管D4A的陰極與輔助MOS管的漏極D4連接，所述二極管D4A的陽(yáng)極與所述輔助MOS管的源極S4連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路，其特征在于，所述主MOS管開(kāi)啟閾值電壓要小于或者等于所述輔助MOS管的開(kāi)啟閾值電壓與寄生二極管D3A的壓降之和。
10.一種電荷泵，其特征在于，該電荷泵采用權(quán)利要求5至9任一項(xiàng)所述的阻擋MOS管的寄生二極管導(dǎo)通的電路。
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