[發(fā)明專利]一種掩膜版

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011019614.6
• 申請日: 2020-09-25
• 公開（公告）號: CN112068396A
• 公開（公告）日: 2020-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李淑君;祝宏勛;孔施琴;張麗潔
• 申請（專利權(quán)）人: 南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司
• 主分類號: G03F1/54
• 分類號: G03F1/54;G02F1/1337
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明揭示一種掩膜版，用于光配向技術(shù)，其包括遮光區(qū)域和曝光區(qū)域，掩膜版的曝光區(qū)域包括正常曝光區(qū)域以及位于正常曝光區(qū)域兩側(cè)的拼接曝光區(qū)域，所述拼接曝光區(qū)域包括遠(yuǎn)離所述正常曝光區(qū)域的全遮光區(qū)域和靠近所述正常曝光區(qū)域的部分遮光區(qū)域，所述全遮光區(qū)域與所述部分遮光區(qū)域連接。本發(fā)明掩膜版，通過調(diào)整拼接曝光區(qū)域的形狀，使得一半以上的拼接曝光區(qū)域由全遮光區(qū)域形成，增加了開口率，改善了面板的縱條紋Mura。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種曝光的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種掩膜版。

背景技術(shù)

UV²A(Ultra Violet Vertical Alignment)技術(shù)是一種使用紫外線(UV＝UltraViolet)進(jìn)行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技術(shù)，其名稱來源于紫外線UV與液晶面板VA模式的相乘。通過導(dǎo)入UV²A技術(shù)后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狹縫隙和突起，因此通過UV²A技術(shù)液晶面板的開口率、對比度和響應(yīng)速度都能得到提高，并能大幅削減生產(chǎn)程序。

如圖1所示，UV²A光配向技術(shù)光配向技術(shù)利用線性偏極的紫外線(UV)10照射在具有感光劑的高分子聚合物形成的配向膜20上，使得高分子聚合物表面的高分子主鏈向紫外線(UV)10照射方向傾斜，從而具有配向能力，液晶分子30就會沿著這條主鏈的方向傾斜；通過控制配向的角度，液晶分子30的配向精度是相對于液晶分子的長度(約2nm)成±20pm的角度。其優(yōu)點(diǎn)為可避免玻璃基板表面的污染、可以進(jìn)行小面積的配向、透過光罩可作圖形的配向，利用入射光的角度與照射時間的長短，可以控制液晶單元的參數(shù)，如預(yù)傾角、表面定向強(qiáng)度等。

UV²A曝光時，配向曝光機(jī)由12塊掩膜版41組成，6塊掩膜版41位于上側(cè)、6塊掩膜版41位于下側(cè)，上側(cè)的掩膜版和下側(cè)的掩膜版存在交疊的位置，這樣12塊掩膜版41可拼接對一個基板100進(jìn)行完整的曝光，如圖2所示，不同的掩膜版都由獨(dú)立的燈源和光路組成。

圖3為采用圖2所示的12個掩膜版進(jìn)行多疇配向的液晶顯示面板，其中一塊大基板1可以切割成6個小基板2，采用12個掩膜對大基板1進(jìn)行曝光時，在灰階畫面下出現(xiàn)縱Mura不良，其縱條紋Mura位置與上側(cè)掩膜版和下側(cè)掩膜版之間的交疊位置3(圖3示意了交疊位置3的長度為45mm)相符，影響液晶顯示面板品質(zhì)。由于不同掩膜版的燈源和光路差異，導(dǎo)致上側(cè)掩膜版和下側(cè)掩膜版之間的交疊位置3界處產(chǎn)生縱條紋Mura。

圖4為掩膜版正常曝光區(qū)域和拼接曝光區(qū)域示意圖，每塊掩膜版的曝光區(qū)域由正常曝光區(qū)域和拼接曝光區(qū)域組成，其中正常曝光區(qū)域的長度為160mm，拼接曝光區(qū)域的長度為45mm，拼接區(qū)域采用正余弦波形結(jié)構(gòu)。

圖5為掩膜版正常曝光區(qū)域和拼接曝光區(qū)域的放大示意圖，非拼接處002為正常曝光區(qū)域，拼接處001為拼接曝光區(qū)域，上側(cè)掩膜版和下側(cè)掩膜版的拼接曝光區(qū)域，組成一個完整的曝光。

現(xiàn)有掩膜版在灰階畫面下出現(xiàn)縱Mura不良，其縱條紋Mura位置與TFT側(cè)掩膜版的交疊位置相符，影響面板品質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種調(diào)整拼接曝光區(qū)域的形狀且改善縱條紋Mura的掩膜版。

本發(fā)明揭示一種掩膜版，用于光配向技術(shù)，其包括遮光區(qū)域和曝光區(qū)域，掩膜版的曝光區(qū)域包括正常曝光區(qū)域以及位于正常曝光區(qū)域兩側(cè)的拼接曝光區(qū)域，所述拼接曝光區(qū)域包括遠(yuǎn)離所述正常曝光區(qū)域的全遮光區(qū)域和靠近所述正常曝光區(qū)域的部分遮光區(qū)域，所述全遮光區(qū)域與所述部分遮光區(qū)域連接。

進(jìn)一步地，所述全遮光區(qū)域的形狀為矩形，所述部分遮光區(qū)域的形狀為正余弦波形。

進(jìn)一步地，所述全遮光區(qū)域的寬度大于部分遮光區(qū)域的寬度2倍以上。