[發明專利]混頻器、增益調節方法及無線通信裝置在審
| 申請號: | 202011019246.5 | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112152584A | 公開(公告)日: | 2020-12-29 |
| 發明(設計)人: | 何力 | 申請(專利權)人: | 中科威發半導體(蘇州)有限公司 |
| 主分類號: | H03H7/40 | 分類號: | H03H7/40 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215021 江蘇省蘇州市工業園區*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混頻器 增益 調節 方法 無線通信 裝置 | ||
1.一種混頻器,其特征在于,包括:
混頻核心電路,其被配置為接入直流電流源并接收射頻輸入信號,對射頻輸入信號和本振信號進行混頻以產生經混頻的中低頻輸出信號;
增益調節級電路,其耦合至所述混頻核心電路,并調節所述混頻器的增益;所述增益調節級電路包括多個相互并聯連接的MOS管,每個所述MOS管的柵極均接入控制其導通或截止的電平控制信號。
2.根據權利要求1所述的混頻器,其特征在于,所述混頻核心電路包括接入同一所述直流電流源的輸入級電路和負載級電路、以及電連接于所述輸入級電路和所述負載級電路之間的頻率轉換級電路,所述輸入級電路同時接入所述射頻輸入信號,所述負載級電路輸出所述中低頻輸出信號,所述頻率轉換級電路接收所述本振信號。
3.根據權利要求2所述的混頻器,其特征在于,所述混頻核心電路還包括跨導級電路,所述跨導級電路電連接于所述輸入級電路和所述頻率轉換級電路之間,并實現電流信號與電壓信號的轉換。
4.根據權利要求3所述的混頻器,其特征在于,所述輸入級電路包括PMOS管Mp,所述PMOS管Mp的柵極連接所述射頻輸入信號,其源極連接所述直流電流源,其漏極連接所述跨導級電路;
所述跨導級電路包括共柵連接的第一NMOS管M1和第二NMOS管M2,所述NMOS管M1的柵極和漏極接于一起,所述NMOS管M2漏極與所述頻率轉換級電路連接,所述NMOS管M1和所述NMOS管M2的源極均接地。
5.根據權利要求4所述的混頻器,其特征在于,所述增益調節級電路包括第一增益調節級電路,所述第一增益調節級電路包括與所述第二NMOS管M2并聯的n個第一調節單元,每個所述第一調節單元均包括相互串聯的第三NMOS管和第一開關MOS管,每個所述第三NMOS管均與所述第一NMOS管M1共柵連接,每個所述開關MOS管的均接入控制其導通或截止的電平控制信號,其中n為不小于1的正整數。
6.根據權利要求2所述的混頻器,其特征在于,所述增益調節級電路包括第二增益調節級電路,所述第二增益調節級電路電連接于所述輸入級電路和所述負載級電路之間,所述第二增益調節級電路包括m個相互并聯的第二調節單元,每個所述第二調節單元均包括第二開關MOS管,每個所述第二開關MOS管均接入控制其導通或截止的電平控制信號,其中m為不小于1的正整數。
7.根據權利要求2所述的混頻器,其特征在于,所述負載級電路包括電阻Rl,所述電阻Rl一端連接所述直流電流源,另一端接入由跨導級電路輸出的中低頻電流信號,并將中低頻電流信號轉換成中低頻電壓信號后輸出。
8.一種混頻器的增益調節方法,應用于權利要求1所述的混頻器中,其特征在于,包括如下步驟:
所述混頻核心電路接入直流電流源和射頻輸入信號;
所述混頻核心電路接入本振信號,將射頻輸入信號與本振信號進行調制混頻,輸出中低頻輸出信號;
控制輸入每個所述MOS管柵極的電平控制信號的高低,調節所述混頻器的增益。
9.一種無線通信裝置,其特征在于,包括權利要求1~7中任一項所述的混頻器。
10.根據權利要求9所述的無線通信裝置,其特征在于,所述無線通信裝置為信號接收機,所述信號接收機包括所述混頻器以及處理所述混頻器輸出的中低頻輸出信號的后端電路,所述后端電路包括用于對所述中低頻輸出信號進行濾波去噪聲的濾波器。
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