[發(fā)明專(zhuān)利]一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011018868.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-09-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112176192B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-06-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉永東;沈建中;李德臣;孫燦;寧胡斌;吳潔;張占彥;黃正奇 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 衢州華友鈷新材料有限公司;浙江華友鈷業(yè)股份有限公司;衢州華友資源再生科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | C22B7/00 | 分類(lèi)號(hào): | C22B7/00;C22B9/10 |
| 代理公司: | 浙江翔隆專(zhuān)利事務(wù)所(普通合伙) 33206 | 代理人: | 張建青 |
| 地址: | 324012 浙江省衢州*** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 雜質(zhì) 合金 深度 方法 | ||
1.一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,所述低硅、低鎂雜質(zhì)合金成分含有:Co、Ni、Mn、Fe、S、Cu、Mg、Si,其中Mg 0.1-1%、Si 0.1-2%,其特征在于,包括以下步驟:
1)合金熔化:將合金加入中頻爐,升溫熔化,溫度1300~1500℃;
2)通氧吹煉:合金熔化后,中頻爐斷電,將吹氧管插入熔體中,利用空壓機(jī)進(jìn)行鼓氣吹煉,吹煉溫度1350~1450℃,吹煉時(shí)間在20~30min,并加入硅石造渣,空氣流量4~6m3/h;
3)升溫加熱:由于中頻爐散熱快,吹煉一段時(shí)間后,吹煉火光呈紅色時(shí),需停止吹煉,重新通電升溫,將中頻爐中物料熔化;
4)出渣:將爐中造出的渣舀出,再回到步驟2、步驟3和步驟4,至空氣量耗完結(jié)束;
5)出合金:停止吹煉,將中頻爐中的熔體傾倒至坩堝中,待冷卻至室溫取出,將樣品取出進(jìn)行渣鐵分離,所述合金產(chǎn)品中硅、鎂含量控制在0.05%以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,鼓氣吹煉利用空氣中的氧氣,將硅和鎂分別氧化成二氧化硅和氧化鎂,進(jìn)入渣里。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,硅石在步驟2)中分批加入。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,空氣在步驟2)、步驟3)中分批加入。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,吹煉過(guò)程需對(duì)中頻爐進(jìn)行加熱升溫。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,總空氣量在1.8~2.4m3,硅石總量在0.35~0.4kg。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述一種低硅、低鎂雜質(zhì)合金深度脫硅、脫鎂方法,其特征在于,如步驟5)得到的渣鐵為不易分離的渣鐵或硅和鎂成分不符合要求的合金,還包括以下步驟:
6)合金熔化:重新加入中頻爐,升溫熔化,溫度1300~1500℃;
7)出合金:熔煉一段時(shí)間后,將中頻爐中的熔體傾倒至坩堝中,待冷卻至室溫取出,將樣品取出進(jìn)行渣鐵分離。
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