[發(fā)明專利]微芯片的巨量轉移方法及顯示背板有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011018839.X | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112967984B | 公開(公告)日: | 2022-03-25 |
| 發(fā)明(設計)人: | 崔麗君;鄧霞;唐彪;劉海平 | 申請(專利權)人: | 重慶康佳光電技術研究院有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L33/48;H01L25/075 |
| 代理公司: | 深圳鼎合誠知識產權代理有限公司 44281 | 代理人: | 李發(fā)兵 |
| 地址: | 402760 重慶市璧*** | 國省代碼: | 重慶;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 巨量 轉移 方法 顯示 背板 | ||
本發(fā)明涉及一種微芯片的巨量轉移方法及顯示背板。通過在轉移基板上形成犧牲層并在犧牲層上形成多個相互獨立的凹槽,然后形成將犧牲層覆蓋并將凹槽填充滿的粘附膠層;將暫態(tài)基板上待轉移的多個微芯片與粘附膠層貼合后,將微芯片與暫態(tài)基板分離;將相鄰微芯片之間的粘附膠層做隔斷處理并將犧牲層去除,位于各凹槽內的粘附膠層形成為將各微芯片支撐于所述轉移基板上的支撐體;拾取時,對待拾取的微芯片對應的支撐體施加外力,使該支撐體與轉移基板分離,即可將該支撐體上的微芯片從所述轉移基板上拾取,從而可省略對轉移基板上的粘附層通過光或熱的方式進行解粘處理的步驟,簡化了微芯片轉移工藝,并提升了微芯片轉移的便捷性和轉移效率。
技術領域
本發(fā)明涉及半導體器件領域,尤其涉及一種微芯片的巨量轉移方法及顯示背板。
背景技術
micro-LED(micro-Light Emitting Diode,微型發(fā)光二極管)作為新一代顯示技術相比傳統(tǒng)的液晶顯示技術,有機發(fā)光二極管亮度更高,發(fā)光效率更好,更好的色彩還原力,功耗更低等優(yōu)勢被業(yè)界所青睞。Micro LED的優(yōu)勢來源于更小的間距,伴隨著尺寸的縮小同時也來帶技術上的難題。在現(xiàn)有技術中,一般會通過在第一臨時基板上設置可解粘的膠層,通過該可解粘膠層通過粘附將micro-LED芯片從生長基板上轉移至第一臨時基板,再使用第二臨時基板將micro-LED芯片從第一臨時基板轉移至顯示背板。在這個過程因第一臨時基板上的膠層對micro-LED芯片粘附力強,需要對第一臨時基板上的膠層通過光或熱的方式進行解粘,才能實現(xiàn)將micro-LED芯片轉移到第二臨時基板,使用這種LED芯片轉移方法工藝較為復雜,且轉移效率低。
因此,如何實現(xiàn)LED芯片便捷、高效的轉移是亟需解決的問題。
發(fā)明內容
鑒于上述相關技術的不足,本申請的目的在于提供一種微芯片的巨量轉移方法及顯示背板,旨在解決相關技術中,LED芯片的轉移存在工藝比較復雜、效率低的問題。
一種微芯片的巨量轉移方法,包括:
在轉移基板上形成犧牲層;
在所述犧牲層上形成多個相互獨立的凹槽,所述多個凹槽與暫態(tài)基板上待轉移的多個微芯片一一對應,且所述凹槽的底部與所述轉移基板相通,
形成將所述犧牲層覆蓋的粘附膠層,所述粘附膠層填充滿各所述凹槽并與所述轉移基板形成粘接;
將所述暫態(tài)基板上待轉移的多個微芯片與所述粘附膠層貼合,貼合后,位于所述粘附膠層上的所述多個微芯片與所述多個凹槽一一對應;
將所述微芯片與所述暫態(tài)基板分離;
將相鄰所述微芯片之間的所述粘附膠層做隔斷處理,使得相鄰所述微芯片之間的所述粘附膠層相互分離;
將所述犧牲層去除,位于各所述凹槽內的所述粘附膠層形成為將各所述微芯片支撐于所述轉移基板上的支撐體;
對待拾取的所述微芯片對應的所述支撐體施加外力,使該支撐體與所述轉移基板分離,以將該支撐體上的微芯片從所述轉移基板上拾取,并轉移至目標區(qū)域。
上述微芯片的巨量轉移方法,在轉移基板上形成犧牲層并在犧牲層上形成多個相互獨立的凹槽,然后形成將犧牲層覆蓋并將凹槽填充滿的粘附膠層;將暫態(tài)基板上待轉移的多個微芯片與粘附膠層貼合后,將微芯片與暫態(tài)基板分離;將相鄰微芯片之間的粘附膠層做隔斷處理,使得相鄰微芯片之間的所述粘附膠層相互分離;然后將犧牲層去除,位于各凹槽內的粘附膠層形成為將各微芯片支撐于所述轉移基板上的支撐體;拾取時,對待拾取的微芯片對應的支撐體施加外力,使該支撐體與轉移基板分離,以將該支撐體上的微芯片從所述轉移基板上拾取,從而可省略對轉移基板上的粘附層通過光或熱的方式進行解粘處理的步驟,簡化了微芯片(例如可包括但不限于微型LED芯片)轉移工藝,并提升了微芯片轉移的便捷性和轉移效率。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





