[發明專利]肖特基二極管以及制備該肖特基二極管的方法

在審

• 申請號: 202011018691.X
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN112201697A
• 公開（公告）日: 2021-01-08
• 發明（設計）人: 倪煒江
• 申請（專利權）人: 蕪湖啟源微電子科技合伙企業（有限合伙）
• 主分類號: H01L29/872
• 分類號: H01L29/872;H01L29/06;H01L29/417;H01L21/329;H01L21/34
• 代理公司: 北京知帆遠景知識產權代理有限公司 11890
• 代理人: 崔建鋒

1.一種肖特基二極管，其特征在于，包括：

襯底；

緩沖層，所述緩沖層位于所述襯底的一側；

漂移區，所述漂移區位于所述緩沖層遠離所述襯底的一側；

第二外延層，所述第二外延層設于所述漂移區遠離所述緩沖層的一側且所述第二外延層內具有溝槽；

重摻雜區，所述重摻雜區位于所述漂移區內且位于所述溝槽的底部；

結型場效應區，所述結型場效應區位于相鄰的兩個所述重摻雜區之間；

第一金屬層，所述第一金屬層覆蓋所述溝槽側壁處的所述第二外延層，以及所述溝槽的底部的所述重摻雜區，并與所述重摻雜區處形成歐姆接觸，與所述溝槽側壁處的第二外延層形成肖特基接觸；

以及

第一電極和第二電極，所述第一電極位于所述襯底的遠離所述緩沖層的一側，所述第二電極位于所述漂移區的遠離所述襯底的一側，所述第二電極在所述肖特基接觸和所述歐姆接觸的上方且與所述肖特基接觸和所述歐姆接觸電連接。

2.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述襯底、所述緩沖層、所述漂移區和所述第二外延層具有第一摻雜類型，所述結型場效應區為第一類型結型場效應區；

所述重摻雜區具有第二摻雜類型。

3.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述襯底以及緩沖層均為重摻雜，所述漂移區和所述第二外延層為輕摻雜。

4.根據權利要求3所述的肖特基二極管，其特征在于，所述第二外延層的摻雜濃度大于所述漂移區的摻雜濃度。

5.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述結型場效應區的摻雜濃度不低于所述漂移區的摻雜濃度。

6.根據權利要求2所述的肖特基二極管，其特征在于，所述重摻雜區的摻雜濃度大于1×e¹⁸cm^-3。

7.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述重摻雜區的寬度大于所述溝槽的底部寬度。

8.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，所述溝槽的深度大于0.5微米。

9.根據權利要求1所述的肖特基二極管，其特征在于，進一步包括以下結構的至少之一：

介質層，所述介質層至少位于所述第二外延層遠離所述漂移區的一側且覆蓋臺面上的大部分區域，所述第一金屬層覆蓋所述介質層未與所述第二外延層接觸的表面，形成所述介質層的材料包括SiO2和SiN中的至少一種。

10.根據權利要求1-9中任一項所述的肖特基二極管，其特征在于，所述肖特基二極管滿足以下條件的至少之一：

形成所述襯底的材料包括SiC、Si、GaN以及Ga2O3的至少之一；

形成所述第一金屬層的材料包括Ti、Mo、W、Ni、Pt以及MoN的至少之一。