[發明專利]高壓延伸漏極MOS（EDMOS）納米線晶體管

在審

• 申請號: 202011017940.3
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN112993026A
• 公開（公告）日: 2021-06-18
• 發明（設計）人: N·尼迪;R·拉馬斯瓦邁;W·M·哈費茨;H-Y·張;張婷;B·法拉哈扎德;T·特里韋迪;金晸東
• 申請（專利權）人: 英特爾公司
• 主分類號: H01L29/775
• 分類號: H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 付曼;姜冰

1.一種半導體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上方的源極區；

所述襯底上方的漏極區；

從所述源極區延伸到所述漏極區的半導體本體，其中，所述半導體本體具有：具有第一傳導率類型的第一區和具有第二傳導率類型的第二區；以及

所述半導體本體的所述第一區上方的柵極結構，其中，所述柵極結構更靠近所述源極區而不是所述漏極區。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置，其中，所述源極區和所述漏極區具有所述第二傳導率類型，并且其中，所述漏極區具有第一摻雜劑濃度，并且所述半導體本體的所述第二區具有比所述第一摻雜劑濃度更小的第二摻雜劑濃度。

3.根據權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述第一摻雜劑濃度是大約10¹⁸cm^-3或更大，并且其中，所述第二摻雜劑濃度是大約10¹⁸cm^-3或更小。

4.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述半導體本體的所述第二區延伸到所述柵極結構中。

5.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述半導體本體的所述第二區的長度大于所述半導體本體的第一區的長度。

6.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述柵極結構包括柵極電介質，其中，所述柵極電介質在所述半導體本體的所述第一區的一部分上方和所述半導體本體的所述第二區的一部分上方。

7.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，還包括：

所述半導體本體的所述第二區上方的第一偽柵極結構，其中，所述第一偽柵極結構更靠近所述漏極區而不是所述源極區。

8.根據權利要求7所述的半導體裝置，其中，所述柵極結構與所述第一偽柵極結構之間的間隔大約等于所述漏極區的長度。

9.根據權利要求7所述的半導體裝置，還包括：

所述半導體本體的所述第二區上方的第二偽柵極結構，其中，所述第二偽柵極結構與所述源極區和所述漏極區大體上等距。

10.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述半導體本體的所述第二區包括沿著所述第二區的長度的不均勻摻雜劑濃度。

11.根據權利要求1、2或3所述的半導體裝置，其中，所述半導體本體是納米線或納米帶。

12.一種半導體裝置，包括：

襯底；

所述襯底上方的源極區；

所述襯底上方的漏極區；

豎直取向的半導體本體堆疊件，從所述源極區延伸到所述漏極區，其中，所述半導體本體具有第一長度；以及

柵極結構，與所述源極區相鄰并且環繞所述半導體本體堆疊件，其中，所述柵極結構具有比所述第一長度更小的第二長度。

13.根據權利要求12所述的半導體裝置，其中，所述柵極結構限定所述半導體本體的溝道區。

14.根據權利要求13所述的半導體裝置，其中，所述半導體本體僅在所述溝道區內被柵極電介質環繞。

15.根據權利要求12、13或14所述的半導體裝置，其中，所述漏極區包括：

主體；以及

多個突出部，朝向所述源極區延伸。

16.根據權利要求15所述的半導體裝置，還包括：

偽源極/漏極區，與所述柵極結構相鄰，其中，所述偽源極/漏極區包括：

偽本體；以及

多個偽突出部，朝向所述漏極區延伸。