[發明專利]組合微透鏡陣列結構及其加工方法

有效

• 申請號: 202011016554.2
• 申請日: 2020-09-24
• 公開（公告）號: CN112130235B
• 公開（公告）日: 2022-05-27
• 發明（設計）人: 林源為;袁仁志
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: G02B3/00
• 分類號: G02B3/00;G03F7/00
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產權代理有限公司 11315
• 代理人: 施敬勃

本發明公開一種組合微透鏡陣列結構及其加工方法，加工方法包括：在透鏡基材的表面覆蓋第一光刻膠層；對第一光刻膠層進行曝光和顯影，形成圖形化的第一掩膜層；刻蝕透鏡基材和第一掩膜層，形成第一中間件；去除殘余的第一掩膜層；在第一中間件具有第一微透鏡的表面覆蓋第二光刻膠層；對第二光刻膠層進行曝光和顯影，形成圖形化的第二掩膜層；刻蝕第一中間件和第二光刻膠層，形成組合微透鏡陣列結構；去除殘余的第二掩膜層；其中，第一微透鏡和第二微透鏡的類型不同。采用上述技術方案形成的組合微透鏡陣列結構可以解決目前單獨使用凸透鏡或凹透鏡對圖像進行處理時，因存在球面像差，容易造成圖像失真的問題。

技術領域

本發明涉及透鏡加工技術領域，尤其涉及一種組合微透鏡陣列結構及其加工方法。

背景技術

在半導體領域，透鏡是一種常用的工具，透鏡通常包括凸透鏡和凹透鏡，單獨使用凸透鏡或凹透鏡對圖像進行處理時，因存在球面像差，容易造成圖像失真。

發明內容

本發明公開一種組合微透鏡陣列結構及其加工方法，以解決目前單獨使用凸透鏡或凹透鏡對圖像進行處理時，因存在球面像差，容易造成圖像失真的問題。

為了解決上述問題，本發明采用下述技術方案：

第一方面，本申請實施例公開一種組合微透鏡陣列結構的加工方法，所述加工方法包括：

在透鏡基材的表面覆蓋第一光刻膠層；

對所述第一光刻膠層進行曝光和顯影，形成圖形化的第一掩膜層，其中，圖形化的所述第一掩膜層具有陣列排布的多個第一裸露區和多個第一遮蓋區；

刻蝕所述透鏡基材和所述第一掩膜層，形成第一中間件，所述第一中間件中對應于所述第一裸露區的位置形成第一微透鏡；

去除殘余的所述第一掩膜層；

在所述第一中間件具有所述第一微透鏡的表面覆蓋第二光刻膠層；

對所述第二光刻膠層進行曝光和顯影，形成圖形化的第二掩膜層，所述第二掩膜層具有陣列排布的多個第二裸露區和多個第二遮蓋區，多個所述第二裸露區的位置與多個所述第一遮蓋區的位置一一對應，多個所述第二遮蓋區的位置與多個所述第一裸露區的位置一一對應，所述第二遮蓋區遮蓋所述第一微透鏡；

刻蝕所述第一中間件和所述第二光刻膠層，形成組合微透鏡陣列結構，所述組合微透鏡陣列結構中對應于所述第二裸露區的位置形成第二微透鏡；

去除殘余的所述第二掩膜層；

其中，所述第一微透鏡和所述第二微透鏡的類型不同。

第二方面，本申請實施例公開一種組合微透鏡陣列結構，其采用上述加工方法制成，所述組合微透鏡陣列結構包括陣列排布的多個第一微透鏡和多個第二微透鏡，所述第一微透鏡和所述第二微透鏡中的一者凸透鏡，另一者為凹透鏡。

本發明采用的技術方案能夠達到以下有益效果：

本申請實施例公開一種組合微透鏡陣列結構的加工方法，借助光刻膠的遮蓋作用，可以使透鏡基材上的不同位置分別形成第一微透鏡和第二微透鏡，且使第一微透鏡和第二微透鏡的類型不同，多個第一微透鏡和多個第二微透鏡陣列分布，這使得組合微透鏡陣列結構能夠同時借助凸透鏡和凹透鏡對圖形進行處理，以減少甚至消除球面像差，進而防止圖像失真。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中：

圖1是本發明實施例公開的組合微透鏡陣列結構的加工方法的流程框圖；

圖2是本發明實施例公開的組合微透鏡陣列結構的加工方法的流程示意圖；