[發明專利]半導體結構及其制造方法在審
| 申請號： | 202011016394.1 | 申請日： | 2020-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN112563218A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發明（設計）人： | 陳明發;陳憲偉;陳潔 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L23/48;H01L23/485;H01L23/498;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 南京正聯知識產權代理有限公司 32243 | 代理人： | 王素琴 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
集成電路組件；
絕緣層，在側向上包封所述集成電路組件的側壁；
重布線結構，設置在所述絕緣層及所述集成電路組件上，所述重布線結構電連接到所述集成電路組件；以及
翹曲控制部分，與所述重布線結構相對地耦合到所述集成電路組件的背側，所述翹曲控制部分包括：
襯底；
圖案化介電層，設置在所述襯底與所述集成電路組件之間；以及
金屬圖案，嵌入在所述圖案化介電層中且與所述集成電路組件電隔離。
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