[發明專利]一種具有連接頭的噴射管有效
| 申請號: | 202011015780.9 | 申請日: | 2020-09-24 |
| 公開(公告)號: | CN112342529B | 公開(公告)日: | 2022-12-06 |
| 發明(設計)人: | 祝建敏;范明明;李長蘇 | 申請(專利權)人: | 杭州盾源聚芯半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455 |
| 代理公司: | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人: | 鄭汝珍 |
| 地址: | 310051 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 具有 接頭 噴射 | ||
本發明公開了一種具有連接頭的噴射管,旨在解決連接頭與噴射管本體的連接可靠性較差,壽命較短的不足。該發明包括噴射管本體和連接頭,噴射管本體上設有進氣孔,連接頭包括裝配管、轉接頭和包圍塊,裝配管插裝在轉接頭上,所述裝配管插裝在進氣孔中且與進氣孔適配,包圍塊與轉接頭抱合噴射管本體。該結構大大延長了使用周期,提供了一種穩定可靠的硅部件連接方式,排除了連接部位帶入外部污染物的可能性。
技術領域
本發明涉及半導體硅材料制造技術領域,更具體地說,它涉及一種具有連接頭的噴射管。
背景技術
隨著中國半導體制造的高速發展,半導體設備及其消耗配件的需求與日俱增。硅片是現代超大規模集成電路的主要襯底材料,一般通過拉晶、切片、倒角、磨片、腐蝕、背封、拋光、清洗等工藝過程做成的集成電路級半導體硅片。硅片熱處理是半導體器件或電路加工過程中一個重要的工序,熱處理包含CVD、氧化、擴散、退火等眾多工藝,占據了集成電路制程工藝的大部分。將半導體硅片放在載體上,再放入爐管內進行處理,而這時候就需要一種用于往機臺內通氣的的通氣管,這種通氣管在業內被稱作噴射管。POLY工藝在半導薄膜工藝中是使用最廣泛的工藝之一。噴射管作為將工藝氣體導入工藝腔體的關鍵性零部件,有著非常重要的作用。
噴射管的進氣口連接有連接導入氣體的管件,由于噴射管是剛性的,管件也通常為剛性的,二者的連接可靠性較差,壽命較短,檢修的周期較為頻繁,為了避免這種不足,亟需一種可以提高二者連接強度,使用壽命較長的噴射管。
中國專利公告號CN106191990B,名稱為一種爐管的進氣裝置,包括:進氣口,設于爐管工藝腔的側壁下端,其連通外部反應氣體管路;進氣管,設于工藝腔內,其一端連接進氣口,另一端封閉,進氣管自下而上環繞工藝腔內的晶舟設置;多個噴嘴,沿進氣管長度方向并面向晶舟均勻設置;工藝時,通過由進氣口向進氣管中通入反應氣體,并由各噴嘴向晶舟噴射,使晶舟中的每層硅片都均勻接觸到反應氣體,同時,保持晶舟處于靜止不動狀態,以在保證產品厚度均勻性的同時,避免因晶舟旋轉而帶來顆粒污染。它的噴射換氣密性較差、使用壽命較短。
發明內容
本發明克服了連接頭與噴射管本體的連接可靠性較差,壽命較短的不足,提供了一種具有連接頭的噴射管,它能連接頭和噴射管本體之間的連接強度,提高使用壽命。
為了解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種具有連接頭的噴射管,包括噴射管本體和連接頭,噴射管本體上設有進氣孔,連接頭包括裝配管、轉接頭和包圍塊,裝配管插裝在轉接頭上,所述裝配管插裝在進氣孔中且與進氣孔適配,包圍塊與轉接頭抱合噴射管本體。
噴射管本體的一端具有一個進氣孔,另一端具有若干個出氣孔,裝配管插裝并固定連接在轉接塊上,其端部略微凸出轉接塊。裝配管凸出的端部插入到轉接頭的進氣孔中,裝配管與進氣孔大小適配。將轉接塊沿裝配管的軸線方向將裝配管插入到進氣孔中,直到轉接塊的端面貼合噴射管本體的管壁。噴射管本體在靠近進氣孔一端裝配一個硅質的堵頭,該結構可以提高噴射管本體拆卸傾斜的便利性。轉接頭一前一后將噴射管本體包圍包合固定。而裝配管與進氣孔輪廓接近的特點使得噴射管本體與連接定位準確。通過上述結構實現了裝配管和噴射管本體之間的連接可靠,強度大,壽命長。
作為優選,所述包圍塊呈U字形,包圍塊和轉接頭圍成有定位槽,噴射管本體軸向方向的投影形狀與定位槽對應。包圍塊的外形輪廓與噴射管本體的輪廓接近,上述結構使得噴射管本體可以定位與包圍塊中。
作為優選,噴射管本體的橫截面為矩形,定位槽形狀與噴射管本體橫截面形狀對應。上述結構中的轉接頭上的裝配管與噴射管本體貼合面為平面,可以提高氣密性和連接可靠性。
作為優選,轉接頭的兩端設有裝配通孔,包圍塊對應裝配通孔位置設有對應的內螺紋孔,轉接頭和包圍塊連接有連接螺栓,連接螺栓與裝配通孔以及內螺紋孔緊配合。二者通過連接螺栓緊配合。連接螺栓通過可固定扭力的扭矩扳手固定,防止使用普通扳手過程中用力過度導致硅產品破裂,用力過小導致連接不到位的問題。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





