[發明專利]碳化硅單晶晶片及碳化硅單晶錠的制造方法有效
| 申請號： | 202011015571.4 | 申請日： | 2020-09-24 |
| 公開（公告）號： | CN112626618B | 公開（公告）日： | 2023-07-21 |
| 發明（設計）人： | 鐮田功穗;土田秀一;星乃紀博;德田雄一郎;岡本武志 | 申請（專利權）人： | 一般財團法人電力中央研究所;株式會社電裝 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B25/00 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;梅黎 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 碳化硅 晶片 單晶錠 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碳化硅單晶錠的制造方法，其中，向放置了由碳化硅構成的晶種的空間供給包含氫氣、甲硅烷及烴氣體的原料氣體，并且使甲硅烷分壓為4kPa以上，將所述空間內加熱至2400℃～2700℃的溫度，使碳化硅單晶在所述晶種上生長，所述制造方法的特征在于：
以使所述碳化硅單晶的生長晶體表面的徑向溫度梯度為0.1℃/mm以下，且所述生長晶體表面的曲率半徑為4.5m以上的方式，控制所述空間內的溫度控制和所述原料氣體的供給，從而獲得經生長的碳化硅單晶的生長長度為3mm以上，且內部應力為10MPa以下的碳化硅單晶錠。
2.一種碳化硅單晶晶片的制造方法，其特征在于：通過權利要求1所述的碳化硅單晶錠的制造方法獲得碳化硅單晶錠，將其切割而獲得碳化硅單晶晶片。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于一般財團法人電力中央研究所;株式會社電裝，未經一般財團法人電力中央研究所;株式會社電裝許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011015571.4/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：切削工具
- 下一篇：步進馬達控制裝置、鐘表和步進馬達控制方法
