[發(fā)明專利]堆疊芯片的氣隙熱量絕緣體

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011015447.8
• 申請(qǐng)日: 2020-09-24
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112652636A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 胡信中
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 豪威科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/146
• 分類號(hào): H01L27/146
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 劉媛媛

1.一種圖像傳感器，其包括：

邏輯裸片，其具有：

功能邏輯元件，其安置在所述邏輯裸片的接合側(cè)上；及

浮凸邏輯氧化物特征的邏輯氧化物陣列，其安置在所述邏輯裸片的所述接合側(cè)上；

像素裸片，其堆疊在所述邏輯裸片的頂部上，所述像素裸片具有：

像素陣列，其安置在所述像素裸片的光接收側(cè)上；及

浮凸像素氧化物特征的像素氧化物陣列，其安置在所述像素裸片的接合側(cè)上；

多個(gè)外接合件，其安置在所述邏輯裸片的外區(qū)與所述像素裸片的外區(qū)之間；以及

多個(gè)內(nèi)接合件，其在所述圖像傳感器的內(nèi)區(qū)處形成在所述像素氧化物陣列與所述邏輯氧化物陣列之間，所述內(nèi)接合件被在所述邏輯裸片與所述像素裸片之間延伸的多個(gè)流體連接氣隙間隔開(kāi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述浮凸邏輯氧化物特征形成邏輯氧化物柵格，且所述浮凸像素氧化物特征形成像素氧化物柵格，所述像素氧化物柵格與所述邏輯氧化物柵格重疊達(dá)內(nèi)接合件重疊量。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述浮凸邏輯氧化物特征從所述浮凸像素氧化物特征偏移以減小內(nèi)接合件重疊量。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中每一浮凸像素氧化物特征及每一浮凸邏輯氧化物特征具有介于約2μm到約5μm之間的寬度W。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖像傳感器，其中鄰近的浮凸像素氧化物特征間隔開(kāi)達(dá)約10μm到約50μm的間距P，且從所述浮凸邏輯氧化物特征偏移。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的圖像傳感器，其中所述浮凸像素氧化物特征相對(duì)于所述浮凸邏輯氧化物特征偏移達(dá)約15度到約75度的偏移角α。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖像傳感器，其中所述浮凸像素氧化物特征相對(duì)于所述浮凸邏輯氧化物特征偏移達(dá)是所述間距P的約25％到所述間距P的約75％的偏移長(zhǎng)度L。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中每一流體連接氣隙具有在所述邏輯裸片到所述像素裸片之間測(cè)量的約1μm到約3μm的深度G。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中深度G是從所述邏輯裸片到所述像素裸片進(jìn)行測(cè)量的。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖像傳感器，其中每一浮凸邏輯氧化物元件具有第一高度，且每一浮凸像素氧化物元件具有第二高度，所述第一高度與所述第二高度的和等于所述深度G。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中所述多個(gè)流體連接氣隙經(jīng)配置以限制熱能從所述邏輯裸片到所述像素裸片的傳導(dǎo)，且準(zhǔn)許穿過(guò)所述多個(gè)流體連接氣隙的對(duì)流。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，其中每一氣隙與位于鄰近的外接合件之間的至少一個(gè)空氣通道流體連接，所述至少一個(gè)空氣通道具有約150μm到約2000μm的寬度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖像傳感器，

其中每一流體連接氣隙具有在所述邏輯裸片與所述像素裸片之間測(cè)量的約1μm到約3μm的深度G，每一流體連接氣隙與位于鄰近的外接合件之間的至少一個(gè)空氣通道流體連接，所述至少一個(gè)空氣通道具有約150μm到約2000μm的寬度，

其中每一浮凸邏輯氧化物特征及每一浮凸像素氧化物特征具有約2μm到約5μm的寬度W，鄰近的浮凸像素氧化物特征間隔開(kāi)達(dá)約10μm到約50μm的間距P，且鄰近的浮凸邏輯氧化物特征間隔開(kāi)達(dá)間距P，且

其中所述浮凸像素氧化物特征從所述浮凸邏輯氧化物特征偏移達(dá)約15度到約75度的偏移角α且達(dá)是所述間距P的約25％到所述間距P的約75％的偏移長(zhǎng)度L。