[發明專利]基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器

在審

• 申請號: 202011012385.5
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112117630A
• 公開（公告）日: 2020-12-22
• 發明（設計）人: 商建明;王正康;李思橋;喬耀軍;喻松;穆寬林
• 申請（專利權）人: 北京郵電大學
• 主分類號: H01S3/067
• 分類號: H01S3/067;H01S3/08;H01S3/10;H01S3/106;H01S3/13
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• 代理人: 暫無信息

1.基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于所述單頻光纖激光器由泵浦源(1)、波分復用器(2)、增益光纖(3)、雙環型無源諧振腔(4)、1×2光耦合器(5)、光隔離器(6)、第一光環形器(7)、光纖布拉格光柵(8)、第一2×2光耦合器(9)、第二2×2光耦合器(10)、第二光環形器(11)、第三光環形器(12)和未泵浦低摻雜光纖(13)組成；

所述基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器泵浦源(1)的輸出端與波分復用器(2)的980nm端口進行光纖熔接，波分復用器(2)的公共端口與增益光纖(3)的一端進行光纖熔接，增益光纖(3)的另一端與光環形器(7)的1端口進行光纖熔接，光環形器(7)的2端口與光纖布拉格光柵(8)進行光纖熔接，光環形器(7)的3端口與1×2光耦合器(5)的1端口進行光纖熔接，1×2光耦合器(5)的2端口與雙環型無源諧振腔(4)的輸入端進行光纖熔接，雙環型無源諧振腔(4)的輸出端與與波分復用器(2)的1550nm端進行光纖熔接。1×2光耦合器(5)的3端口與光隔離器(6)的輸入端進行光纖熔接，光隔離器(6)的輸出端作為所述單頻光纖激光器的輸出端口。

2.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述泵浦源(1)為980nm泵浦源。

3.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述波分復用器(2)為980/1550nm保偏型波分復用器。

4.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述增益光纖(3)為具有高摻雜濃度的保偏摻鉺光纖。

5.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述未泵浦低摻雜光纖(13)為具有低摻雜濃度的保偏摻鉺光纖。

6.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述光隔離器(6)、光纖布拉格光柵(8)、第一光環形器(7)、第二光環形器(11)和第三光環形器(12)均為保偏型光器件。

7.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述雙環型無源諧振腔(4)由第一2×2光耦合器(9)、第二2×2光耦合器(10)、第二光環形器(11)、第三光環形器(12)和未泵浦低摻雜光纖(13)組成組成。第一2×2光耦合器(9)的4端口與第二光環形器(11)的1端口進行光纖熔接，第二光環形器(11)的2端口與未泵浦低摻雜光纖(13)的一端進行光纖熔接，未泵浦低摻雜光纖(13)的另一端與第三光環形器(12)的2端口進行光纖熔接，第三光環形器(12)的3端口與第一2×2光耦合器(9)的2端口進行光纖熔接。第一2×2光耦合器(9)的3端口與第二2×2光耦合器(10)的5端口進行光纖熔接，第二光環形器(11)的3端口與第二2×2光耦合器(10)的6端口進行光纖熔接，第二2×2光耦合器(10)的8端口與第三光環形器(12)的1端口進行光纖熔接。第一2×2光耦合器(9)的1端口和第二2×2光耦合器(10)的7端口作為雙環型無源諧振腔(4)的輸入端口和輸出端口。

8.按照權利要求1所述的基于雙環型諧振腔的全保偏結構超窄線寬單頻光纖激光器，其特征在于：所述1×2光耦合器(5)是耦合比為50：50的保偏型單模光纖耦合器。所述第一2×2光耦合器(9)和第二2×2光耦合器(10)是耦合比為90：10的保偏型單模光纖耦合器。