[發(fā)明專利]半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011012119.2
• 申請(qǐng)日: 2020-09-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN114256164A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-03-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂文隆
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/31
• 分類號(hào): H01L23/31;H01L23/49;H01L21/60
• 代理公司: 北京德恒律治知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

1.一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一介電層；

接合墊，具有從所述第一介電層凸出的凸出部；

焊料凸塊，所述凸出部嵌入所述焊料凸塊；以及

第一阻擋層，夾在所述接合墊與所述第一介電層之間，

其中，在所述第一阻擋層與所述焊料凸塊之間具有空隙，所述接合墊與所述第一介電層之間通過(guò)所述空隙隔開(kāi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

第二介電層，位于所述第一介電層的背離所述焊料凸塊的一側(cè)上，

其中，所述第二介電層的暴露在所述接合墊與所述第一介電層之間的部分，均被所述第一阻擋層覆蓋。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一介電層具有第一表面和與所述第一表面相對(duì)的第二表面，所述焊料凸塊位于所述第一表面的一側(cè)，

所述第一阻擋層包括：

橫向部，覆蓋在所述第一介電層的第二表面上；以及

傾斜部，從所述橫向部彎折延伸而出，并且覆蓋在所述第一介電層的供接合墊凸出的開(kāi)口的周側(cè)壁上，

其中，所述橫向部與所述第二介電層直接接觸，所述空隙位于傾斜部的延伸端處。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述凸出部的凸出方向相比于所述第一介電層向下，整個(gè)所述焊料凸塊位于所述第一介電層的下方。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一阻擋層的朝向所述焊料凸塊的表面呈凹面，所述凹面構(gòu)成所述空隙的邊界面的一部分。

6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述空隙圍繞所述焊料凸塊布置成連續(xù)的一圈。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

重分布層，所述重分布層包括所述第一介電層、所述第二介電層以及所述接合墊，所述接合墊具有位于所述第一介電層中的周部邊緣、以及被所述周部邊緣包圍的中間部，所述中間部向下凸出超出所述第二介電層的底面；

芯片，位于所述重分布層上方并且電連接所述接合墊；

其中，所述接合墊的所述中間部部分地嵌入到所述焊料凸塊中，所述空隙與所述第一阻擋層相互鄰接在一起，并且所述空隙將所述焊料凸塊與所述第一介電層間隔開(kāi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

在所述接合墊上從下到上依次疊置有第二阻擋層和金屬層，所述芯片與所述金屬層電連接，

所述第二阻擋層的一部分與所述接合墊的中間部共形地接觸，而所述第二阻擋層的另一部分與所述第二介電層接觸，所述第二阻擋層和金屬層共形。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

填充材料，位于所述芯片和所述金屬層之間，

微凸塊，嵌在所述填充材料中，所述芯片與所述金屬層通過(guò)所述微凸塊而電連接。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述第一阻擋層具有相比于所述接合墊和所述第一介電層暴露的暴露部，

其中，所述暴露部的一端均與所述第二介電層直接接觸，另一端與所述空隙鄰接在一起。