[發明專利]一種半導體外延設備及其基座組件在審
| 申請號: | 202011011476.7 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112117225A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | 徐柯柯 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673;H01L21/687;H01L21/20;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 半導體 外延 設備 及其 基座 組件 | ||
1.一種半導體外延設備中的基座組件,包括固定基座和支承件,所述固定基座上形成有旋轉槽,所述支承件可轉動地設置在所述旋轉槽中,所述支承件用于承載晶圓或晶圓托盤,其特征在于,所述固定基座中形成有側吹通路和底吹通路,所述側吹通路在所述旋轉槽的側壁上形成有至少一個側吹孔,所述底吹通路在所述旋轉槽的底壁上形成有至少一個底吹孔;
所述底吹通路用于通過所述底吹孔向所述支承件的底部噴射氣體,以在所述旋轉槽中抬起所述支承件;
所述支承件側壁上設置有多個驅動部,所述側吹通路用于通過所述側吹孔向所述支承件的側壁及所述驅動部噴射氣體,以驅動所述支承件在所述旋轉槽中轉動。
2.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,所述多個驅動部包括開設在所述支承件側壁上的多個凹槽。
3.根據權利要求1所述的基座組件,其特征在于,
所述支承件的底部具有錐形凸起,所述旋轉槽的底部形成有錐形凹槽,所述支承件底部的錐形凸起匹配設置在所述旋轉槽底部的錐形凹槽中;或者
所述旋轉槽的底部具有錐形凸起,所述支承件的底部形成有錐形凹槽,所述旋轉槽底部的錐形凸起匹配設置在所述支承件底部的錐形凹槽中。
4.根據權利要求3所述的基座組件,其特征在于,所述錐形凸起的中心形成有定位臺,所述錐形凹槽的底部形成有定位槽,所述定位臺匹配設置在所述定位槽中。
5.根據權利要求1至4中任意一項所述的基座組件,其特征在于,所述旋轉槽的底部形成有環形凹槽,所述環形凹槽的外側壁與所述旋轉槽的側壁相接;
所述固定基座中還形成有排氣通路,所述排氣通絡與所述環形凹槽連通,用于排出所述旋轉槽的氣體。
6.根據權利要求5所述的基座組件,其特征在于,所述支承件的底部具有環形凸起,所述環形凸起匹配設置在所述環形凹槽中。
7.根據權利要求2所述的基座組件,其特征在于,所述側吹孔的開口朝向與所述旋轉槽的徑向之間存在夾角。
8.根據權利要求7所述的基座組件,其特征在于,所述凹槽為楔形槽,所述凹槽具有第一側面和第二側面,所述第一側面與所述第二側面之間形成預設夾角。
9.根據權利要求1至4中任意一項所述的基座組件,其特征在于,所述旋轉槽的側壁上形成有至少一對所述側吹孔,且每對所述側吹孔均對稱地設置在所述旋轉槽軸線的兩側。
10.一種半導體外延設備,包括工藝腔室,所述工藝腔室中設置有基座組件,所述基座組件用于承載晶圓或晶圓托盤,其特征在于,所述基座組件為權利要求1至9中任意一項所述的基座組件。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





