[發明專利]導電粒子及其制備方法、粘合劑及其應用

有效

• 申請號: 202011011439.6
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112126375B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 夏玉明;唐崇偉
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: C09J9/02
• 分類號: C09J9/02;C09J183/04;C09J163/00;C09J133/04;C09J4/02
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 陳春渠

1.一種導電粒子，其特征在于，包括：

芯體；

導電碳層，覆蓋于所述芯體上；及

導電高分子層，設置于所述導電碳層上；

其中，所述芯體包括實心基體及包覆于所述實心基體的多孔層，所述導電碳層至少部分收容于所述多孔層內；所述實心基體為二氧化硅球、二氧化鈦球或聚苯乙烯球；所述多孔層為多孔二氧化硅層；其中，制備所述芯體的步驟為：以造孔劑、正硅酸乙酯和水為原料，采用溶膠凝膠法在實心基體上形成多孔層，得到所述芯體；

所述導電碳層的材料具有羧基，所述羧基能夠與所述導電高分子層的材料形成化學鍵。

2.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述導電高分子層的材料具有氨基，且所述氨基與所述羧基形成酰胺酯結構；

或者，所述導電高分子層的材料具有羥基，所述羥基與所述羧基形成酯基結構；

或者，所述導電高分子層的材料是含有能與所述羧基形成鍵結結構的物質。

3.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述導電碳層的孔徑為20nm~100nm。

4.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述多孔層的厚度為20nm~200nm。

5.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述多孔層的孔徑為10nm~100nm。

6.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述導電碳層為多孔結構；

及/或，所述導電高分子層的材料為導電高分子，所述導電高分子選自聚苯胺及聚吡咯中的至少一種。

7.根據權利要求6所述的導電粒子，其特征在于，所述導電碳層的材料為納米碳材料；

及/或，所述導電高分子層的材料為導電高分子，所述導電高分子為納米線。

8.根據權利要求1所述的導電粒子，其特征在于，所述芯體的外徑為0.2μm~2μm；

及/或，所述導電高分子層的厚度為0.1μm~0.5μm；

及/或，所述導電粒子的粒徑為0.5μm~2μm。

9.權利要求1~8任一項所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

在所述芯體上形成所述導電碳層；

在所述導電碳層上形成所述導電高分子層，得到所述導電粒子。

10.根據權利要求9所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，所述在芯體上形成導電碳層的步驟包括：

將所述芯體與碳源混合，經固化，得到固化物；及

將所述固化物碳化，形成所述導電碳層。

11.根據權利要求10所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，所述碳源選自乙醇酚醛樹脂、環氧樹脂、聚氨酯及聚脲樹脂中的至少一種。

12.根據權利要求10所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，所述芯體與所述碳源的質量比為10：（0.1~0.9）。

13.根據權利要求10所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，所述將所述固化物碳化，形成所述導電碳層的步驟之后還包括：對碳化形成的碳化物進行酸化處理，以使所述導電碳層上形成羧基。

14.根據權利要求13所述的導電粒子的制備方法，其特征在于，所述在所述導電碳層上形成導電高分子層，得到導電粒子的步驟包括：

將酸化處理后的所述碳化物、強酸、單體、引發劑混合并反應，以在所述導電碳層上形成所述導電高分子層，且使所述羧基與所述導電高分子層的材料形成化學鍵，得到所述導電粒子，所述強酸為H₂SO₄或HClO₄，所述單體選自苯胺及吡咯中的至少一種，所述引發劑為過硫酸鹽。