[發(fā)明專利]OLED顯示面板及顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011011243.7 | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112054049A | 公開(公告)日: | 2020-12-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 王進;石常洪;劉耀;陳曦;林劍濤;程浩;李宗祥;朱敬光;劉祖文;黃雅雯;林琳琳 | 申請(專利權)人: | 福州京東方光電科技有限公司;京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 周穎穎 |
| 地址: | 350300 福建省*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種OLED顯示面板,包括相對設置的第一基板和第二基板,所述第一基板和所述第二基板之一為襯底基板,另一為透明基板,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板之間設有天線結構。
2.根據(jù)權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述第一基板和所述第二基板之間還設有顯示器件層,所述顯示器件層具有多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括多個不同顏色的子像素,相鄰所述子像素之間設有隔離柱;
每個所述子像素包括自所述第一基板至所述第二基板方向上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層,所述陽極層和所述陰極層之一復用為天線層;
所述天線結構包括各個所述子像素中的天線層。
3.根據(jù)權利要求2所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述天線層包括呈盤狀的天線。
4.根據(jù)權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述顯示面板具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū),所述第一基板和所述第二基板之間還設有顯示器件層,所述顯示器件層位于所述顯示區(qū),所述顯示器件層具有多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括多個不同顏色的子像素,相鄰所述子像素之間設有隔離柱;
所述天線結構設置在所述顯示器件層與所述第二基板之間,所述天線結構垂直于所述第一基板的正投影位于所述隔離柱垂直于所述第一基板的正投影區(qū)域內(nèi);和/或,所述天線結構垂直于所述第一基板的正投影位于所述非顯示區(qū)內(nèi)。
5.根據(jù)權利要求4所述的OLED顯示面板,其特征在于,每個所述子像素包括自所述第一基板至所述第二基板方向上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層;
所述第一基板為襯底基板,所述第二基板為透明基板,所述天線結構與所述第二基板之間還設有減反層;或者,
所述第一基板為透明基板,所述第二基板為襯底基板,所述天線結構與所述陰極層之間還設有減反層。
6.根據(jù)權利要求1所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述顯示面板具有顯示區(qū)和包圍所述顯示區(qū)的非顯示區(qū),所述第一基板和所述第二基板之間還設有顯示器件層,所述顯示器件層位于所述顯示區(qū),所述顯示器件層具有多個陣列排布的像素單元,每個像素單元包括多個不同顏色的子像素,相鄰所述子像素之間設有隔離柱;
所述天線結構設置在所述顯示器件層與所述第一基板之間,所述天線結構垂直于所述第一基板的正投影位于所述隔離柱垂直于所述第一基板的正投影區(qū)域內(nèi);和/或,所述天線結構垂直于所述第一基板的正投影位于所述非顯示區(qū)內(nèi)。
7.根據(jù)權利要求6所述的OLED顯示面板,其特征在于,每個所述子像素包括自所述第一基板至所述第二基板方向上依次層疊設置的陽極層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和陰極層;
所述第一基板為襯底基板,所述第二基板為透明基板,所述天線結構與所述陽極層之間還設有減反層;或者,
所述第一基板為透明基板,所述第二基板為襯底基板,所述天線結構與所述第一基板之間還設有減反層。
8.根據(jù)權利要求4-7任一項所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述天線結構包括多個天線,所述天線結構中的多個天線與所述顯示器件層中的多個子像素一一對應。
9.根據(jù)權利要求8所述的OLED顯示面板,其特征在于,所述天線呈盤狀結構。
10.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1-9任一項所述的OLED顯示面板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





