[發明專利]用于改善晶圓翹曲的SGT器件及其制作方法

有效

• 申請號: 202011008913.X
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN112186041B
• 公開（公告）日: 2022-08-16
• 發明（設計）人: 錢佳成;劉秀勇;陳正嶸;陳廣龍;吳長明
• 申請（專利權）人: 華虹半導體（無錫）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28
• 代理公司: 上海浦一知識產權代理有限公司 31211
• 代理人: 戴廣志

1.一種用于改善晶圓翹曲的SGT器件，其特征在于，所述用于改善晶圓翹曲的SGT器件包括：

襯底層，所述襯底層中形成柵結構，所述柵結構從所述襯底層的上表面向下延伸，在所述柵結構兩側的所述襯底層中，分別形成源極和漏極；

所述柵結構包括：

屏蔽柵結構，所述屏蔽柵結構包括屏蔽柵介電層，和，包圍所述屏蔽柵介電層下部外周的場板氧化層；

所述屏蔽柵結構的上部兩側分別形成控制柵結構，所述控制柵結構的外周形成第一熱氧化層，所述第一熱氧化層的外周形成第二熱氧化層；

所述第一熱氧化層是在溫度600℃～800℃下生長而成；所述第二熱氧化層是在溫度1000℃～1500℃下生長而成，所述第二熱氧化層的厚度為400A～600A。

2.一種用于改善晶圓翹曲的SGT器件的制作方法，其特征在于，所述用于改善晶圓翹曲的SGT器件的制作方法包括以下步驟：

提供襯底層，從所述襯底層的上表面向下刻蝕形成屏蔽柵溝槽；

在所述屏蔽柵溝槽的內壁上沉積形成場板氧化層，所述場板氧化層包圍形成的屏蔽柵介電槽；

向所述屏蔽柵介電槽中填充屏蔽柵介電材料，刻蝕后形成屏蔽柵介電層；

從位于所述屏蔽柵介電層兩側的場板氧化層的上表面位置處，向下刻蝕，分別形成控制柵溝槽；

通過熱氧化工藝，在器件表面形成第二熱氧化層；

通過熱氧化工藝，在所述控制柵溝槽位置處的第二熱氧化層表面，形成第一熱氧化層；

進行退火工藝，使得第一熱氧化層和第二熱氧化層致密化；

在所述控制柵溝槽中填充控制柵介電材料，刻蝕后形成控制柵結構；

所述通過熱氧化工藝，在器件表面形成第二熱氧化層的步驟包括：

在溫度為1000℃～1500℃的環境下進行熱氧化工藝，在器件表面形成第二熱氧化層，所述第二熱氧化層的厚度為400A～600A；

所述通過熱氧化工藝，在所述控制柵溝槽位置處的第二熱氧化層表面，形成第一熱氧化層的步驟，包括：

在溫度為600℃～800℃的環境下進行熱氧化工藝，在所述控制柵溝槽位置處的第二熱氧化層表面，形成第一熱氧化層。

3.如權利要求2所述的用于改善晶圓翹曲的SGT器件的制作方法，其特征在于，在形成控制柵溝槽的步驟之后，在所述通過熱氧化工藝，在器件表面形成第二熱氧化層步驟之前，還進行：

在器件表面形成保護氧化層，修復器件表面的損傷和缺陷后移除所述保護氧化層。

4.如權利要求2所述的用于改善晶圓翹曲的SGT器件的制作方法，其特征在于，形成的所述控制柵結構的厚度為8k?！?0k埃。