[發(fā)明專利]石英晶體諧振器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011007661.9 | 申請日： | 2020-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN112117981A | 公開（公告）日： | 2020-12-22 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李鵬;陳萍萍;楊冰心;崔健;劉鵬 | 申請（專利權(quán)）人： | 河北博威集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H03H3/02 | 分類號： | H03H3/02;H03H9/205 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120 | 代理人： | 付曉娣 |
| 地址： | 050051 河北*** | 國省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 石英 晶體 諧振器 及其 制備 方法 | ||
1.一種石英晶體諧振器，包括：基座、簧片、石英晶片和粘結(jié)劑，所述基座上設(shè)置多個簧片，所述石英晶片設(shè)置在所述多個簧片之間，并通過所述粘結(jié)劑將所述石英晶片與所述多個簧片粘接，其特征在于，所述粘結(jié)劑為納米銀膠。
2.如權(quán)利要求1所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述納米銀膠中包含的納米銀粒子中純銀含量大于或等于99％。
3.如權(quán)利要求2所述的石英晶體諧振器，其特征在于，還包括：電極；
所述石英晶片的正面的中心區(qū)域和邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域分別設(shè)置電極，其中，中心區(qū)域設(shè)置的電極與邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域中任一區(qū)域中設(shè)置的電極連通；
所述邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域為簧片與所述石英晶片的粘接位置對應(yīng)區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域為扇形區(qū)域，所述納米銀膠覆蓋所述扇形區(qū)域。
5.如權(quán)利要求3或4所述的石英晶體諧振器，其特征在于，所述石英晶片與所述電極之間設(shè)置粘附金屬層。
6.如權(quán)利要求5所述的石英晶體諧振器，其特征在于，
所述粘附金屬層采用的金屬為鉻，所述粘附金屬層的厚度范圍為1納米至3納米；
所述電極采用的金屬為金，所述電極的厚度大于100納米。
7.一種石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于，包括：
將第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于石英晶片正面，將第二預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于所述石英晶片反面后，蒸鍍電極層；
去掉所述第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具和所述第二預(yù)設(shè)鍍膜夾具，得到石英晶片樣品；
在基座上設(shè)置的多個簧片上分別涂覆納米銀膠；
將所述石英晶片樣品置于所述多個簧片中并扣緊，并在所述石英晶片與各個簧片之間再次涂覆所述納米銀膠，得到第一石英晶體諧振器樣品；
將所述第一石英晶體諧振器樣品進行燒結(jié)和再結(jié)晶處理，并將再結(jié)晶處理后的第二石英晶體諧振器樣品進行封裝，得到石英晶體諧振器。
8.如權(quán)利要求7所述的石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于，在所述將第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于石英晶片正面，將第二預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于所述石英晶片反面后，蒸鍍電極層之前，還包括：
將石英晶片的正反兩面分別蒸鍍粘附金屬層；
所述將第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于石英晶片正面，將第二預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于所述石英晶片反面后，蒸鍍電極層，包括：
將第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于粘附金屬層的石英晶片正面，將第二預(yù)設(shè)鍍膜夾具置于粘附金屬層的石英晶片反面后，蒸鍍電極層。
9.如權(quán)利要求7或8所述的石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于，所述第一預(yù)設(shè)鍍膜夾具為在夾具膜的中心區(qū)域和邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域設(shè)置鏤空區(qū)域，且所述中心區(qū)域和任一邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域連通，所述夾具膜為與所述石英晶片的形狀、尺寸相同的夾具膜；
所述邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域為簧片與所述石英晶片的粘接位置對應(yīng)區(qū)域，所述邊緣預(yù)設(shè)區(qū)域為扇形區(qū)域。
10.如權(quán)利要求7或8所述的石英晶體諧振器的制備方法，其特征在于，所述將所述第一石英晶體諧振器樣品進行燒結(jié)和再結(jié)晶處理，并將再結(jié)晶處理后的第二石英晶體諧振器樣品進行封裝，得到石英晶體諧振器，包括：
將退火爐中充滿氮氣，將所述第一石英晶體諧振器樣品置于所述退火爐中加熱，使所述退火爐內(nèi)溫度在第一預(yù)設(shè)時間達到第一預(yù)設(shè)溫度，保持所述第一預(yù)設(shè)溫度持續(xù)第二預(yù)設(shè)時間；
當所述第二預(yù)設(shè)時間達到時，將所述退火爐抽為高真空狀態(tài)，對所述退火爐進行加熱，使所述退火爐內(nèi)溫度在第三預(yù)設(shè)時間達到第二預(yù)設(shè)溫度；
當所述退火爐內(nèi)溫度達到第二預(yù)設(shè)溫度時，保持所述第二預(yù)設(shè)溫度持續(xù)第四預(yù)設(shè)時間；
當所述第四預(yù)設(shè)時間達到時，對所述退火爐降溫，使所述退火爐內(nèi)溫度在第五預(yù)設(shè)時間達到室溫，得到第二石英晶體諧振器樣品；
將所述第二石英晶體諧振器樣品進行真空冷壓焊封裝，得到石英晶體諧振器。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河北博威集成電路有限公司，未經(jīng)河北博威集成電路有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011007661.9/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
