[發明專利]一種多孔硅納米線及其制備方法在審
| 申請號： | 202011007261.8 | 申請日： | 2020-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN112458539A | 公開（公告）日： | 2021-03-09 |
| 發明（設計）人： | 王云兵;張華;楊立 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | C30B33/10 | 分類號： | C30B33/10;C30B29/06;C30B29/60;C23F1/24;C11D1/29;C11D3/22;C11D3/04;C11D3/60;B82Y15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京正華智誠專利代理事務所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 610064 四川*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多孔 納米 及其 制備 方法 | ||
1.一種多孔硅納米線的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1：將N型硅晶圓片放入清洗劑溶液中浸泡1～4min，以去除表面氧化層和顆粒雜質；
S2：將經過S1處理的N型硅晶圓片轉移至Ag沉積液中浸泡0.5～2min，然后撈出，用去離子水沖掉表面附著的Ag3+；所述Ag沉積液為HF和AgNO3的混合溶液，所述混合溶液中HF的濃度為3～5M，AgNO3的濃度為0.001～0.01M；
S3：將經過S2處理的N型硅晶圓片轉移至刻蝕液中，浸泡刻蝕55～65min；所述刻蝕液為HF和H2O2的混合溶液，所述混合溶液中HF的濃度為4～5M，H2O2的濃度為0.5～1M；
S4：將經過S3處理后的N型硅晶圓片轉移至濃硝酸中浸泡1～1.5h，即得。
2.根據權利要求1所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：所述N型硅晶圓片的直徑為2～6cm，電阻率為0.008～0.02Ω·cm。
3.根據權利要求1所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：所述清洗劑溶液的溶質包括以下質量份的組分：
表面活性劑15～25份，懸浮劑3～5份和緩沖刻蝕液1～3份；所述表面活性劑為十二烷基磺酸鈉或脂肪醇聚氧乙烯醚硫酸鈉；所述懸浮劑為馬來酸-丙烯酸共聚物或羧甲基纖維素鈉；所述緩沖刻蝕液為HF和NH4F按1:5～7的體積比混合后的混合溶液。
4.根據權利要求3所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：所述清洗劑溶液的溶質包括以下質量份的組分：
十二烷基磺酸鈉20份，馬來酸-丙烯酸共聚物4份和緩沖刻蝕液2份；所述緩沖刻蝕液為濃度為49％的HF溶液與濃度為40％的NH4F溶液按1:6的體積比混合后的混合溶液。
5.根據權利要求1所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：S2中N型硅晶圓片在Ag沉積液中的浸泡時間為1min。
6.根據權利要求1或5所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：所述Ag沉積液中HF的濃度為4M，AgNO3的濃度為0.005M。
7.根據權利要求1所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：S3中N型硅晶圓片在刻蝕液中的浸泡時間為60min。
8.根據權利要求1或7所述的多孔硅納米線的制備方法，其特征在于：所述刻蝕液中HF的濃度為4.8M，H2O2的濃度為0.8M。
9.采用權利要求1～8任一項所述的制備方法制備的多孔硅納米線。
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