[發明專利]一種集成升降壓輸出的Boost PFC變換器及控制方法有效
| 申請號: | 202011006930.X | 申請日: | 2020-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN112152454B | 公開(公告)日: | 2021-09-28 |
| 發明(設計)人: | 蔡駿 | 申請(專利權)人: | 南京信息工程大學 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158 |
| 代理公司: | 南京經緯專利商標代理有限公司 32200 | 代理人: | 田凌濤 |
| 地址: | 210044 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 集成 升降 輸出 boost pfc 變換器 控制 方法 | ||
1.一種集成升降壓輸出的Boost PFC變換器的控制方法,其特征在于:Boost PFC變換器包括交流電源us、第一二極管D1、第二二極管D2、第三二極管D3、第四二極管D4、第五二極管D5、第六二極管D6、第七二極管D7、第一N型IGBT晶體管S1、第二N型IGBT晶體管S2、第三N型IGBT晶體管S3、第一電解電容C1、第二電解電容C2、第三電解電容C3、第一電感L1、第二電感L2;
其中,第一N型IGBT晶體管S1的發射極與第五二極管D5的陽極相對接,第一N型IGBT晶體管S1的集電極與第五二極管D5的陰極相對接,第二N型IGBT晶體管S2的發射極與第六二極管D6的陽極相對接,第二N型IGBT晶體管S2的集電極與第六二極管D6的陰極相對接,第三N型IGBT晶體管S3的發射極與第七二極管D7的陽極相對接,第三N型IGBT晶體管S3的集電極與第七二極管D7的陰極相對接;
交流電源us的其中一端分別對接第一二極管D1的陽極、第二二極管D2的陰極,交流電源us的另一端分別對接第三二極管D3的陽極、第四二極管D4的陰極;第一二極管D1的陰極、第三二極管D3的陰極、第一電解電容C1的其中一端、第一電感L1的其中一端四者相對接;
第一電感L1的另一端分別對接第一N型IGBT晶體管S1的發射極、第二N型IGBT晶體管S2的集電極;第二N型IGBT晶體管S2的發射極分別對接第三N型IGBT晶體管S3的集電極、第二電感L2的其中一端,第二電感L2的另一端對接第二電解電容C2的其中一端;第一N型IGBT晶體管S1的集電極對接第三電解電容C3的其中一端;第二二極管D2的陽極、第四二極管D4的陽極、第一電解電容C1的另一端、第三N型IGBT晶體管S3的發射極、第二電解電容C2的另一端、第三電解電容C3的另一端六者相對接;
第二電解電容C2的兩端構成低壓輸出端u1,用于接入低壓負載;第三電解電容C3的兩端構成高壓輸出端u2,用于接入高壓負載;
所述控制方法包括如下步驟:
步驟A.采集高壓輸出端u2的電壓值U2,并獲得其與參考電壓值之間的誤差,然后針對該誤差進行PI處理,獲得參考電流幅值并進入步驟B;
步驟B.采集第一二極管D1陰極的電壓值Udc,并除以第一二極管D1陰極位置電壓值的峰值K,所獲結果與參考電流幅值經過乘法器處理,獲得第一電流參考值然后進入步驟C;
步驟C.采集經過第一電感L1的電流idc,并獲得其與第一電流參考值之間的誤差,然后針對該誤差依次經過PI處理、PWM處理后,針對所獲結果取反,即獲得第一N型IGBT晶體管S1所對應的控制信號S'1,然后進入步驟D;
步驟D.采集經過第二電感L2的電流i1,并獲得其與第二電流參考值之間的誤差,然后針對該誤差依次經過PI處理、PWM處理,獲得第三N型IGBT晶體管S3所對應的控制信號S'3,然后進入步驟E;
步驟E.針對第一N型IGBT晶體管S1所對應的控制信號S'1與第三N型IGBT晶體管S3所對應的控制信號S'3,執行邏輯異或運算,獲得第二N型IGBT晶體管S2所對應的控制信號S'2,然后進入步驟F;
步驟F.應用分別對應第一N型IGBT晶體管S1、第二N型IGBT晶體管S2、第三N型IGBT晶體管S3的控制信號S'1、S'2、S'3,分別針對第一N型IGBT晶體管S1、第二N型IGBT晶體管S2、第三N型IGBT晶體管S3進行控制。
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