[發(fā)明專利]存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011006101.1
• 申請(qǐng)日: 2020-09-23
• 公開（公告）號(hào): CN113450860A
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李東旭;梁海昌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號(hào): G11C16/14
• 分類號(hào): G11C16/14;G11C16/34;G11C16/30;G11C16/04
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 傅遠(yuǎn)

本公開的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器設(shè)備及其操作方法。一種存儲(chǔ)器設(shè)備及操作該存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，包括存儲(chǔ)器塊，該存儲(chǔ)器塊被配置為包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，該多個(gè)存儲(chǔ)器單元被堆疊為在襯底上彼此隔開，并且包括耦合到多個(gè)存儲(chǔ)器單元的字線以及耦合到包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元的串的兩端的位線和源極線；以及外圍電路，該外圍電路被配置為對(duì)存儲(chǔ)器塊執(zhí)行擦除操作，其中外圍電路被配置為對(duì)存儲(chǔ)器塊中包括的多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行擦除操作，然后依據(jù)多個(gè)存儲(chǔ)器單元的尺寸對(duì)選自多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行缺陷檢測(cè)操作。

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)根據(jù)35U.S.C.§119(a)要求于2020年3月25日向韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)第10-2020-0035955號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部公開內(nèi)容通過引用并入本文。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開的各個(gè)實(shí)施例一般涉及一種存儲(chǔ)器設(shè)備和操作該存儲(chǔ)器設(shè)備的方法，并且更具體地，涉及一種在包括存儲(chǔ)器設(shè)備的產(chǎn)品已經(jīng)裝運(yùn)之后可以檢測(cè)在該存儲(chǔ)器設(shè)備中發(fā)生的缺陷的存儲(chǔ)器設(shè)備和操作該存儲(chǔ)器設(shè)備的方法。

背景技術(shù)

存儲(chǔ)器設(shè)備可以包括易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)供電中斷時(shí)其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失；或非易失性存儲(chǔ)器，即使當(dāng)供電被中斷時(shí)，其中所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)也會(huì)被保留。

非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備通常要求實(shí)現(xiàn)大容量和高集成度以便與諸如移動(dòng)電話和筆記本計(jì)算機(jī)之類的便攜式電子設(shè)備一起使用。

隨著包括形成在襯底上作為單層的存儲(chǔ)器單元的二維(2D)非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備的結(jié)構(gòu)達(dá)到物理縮放極限，正在開發(fā)包括垂直堆疊在襯底上的存儲(chǔ)器單元的三維(3D)非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備。

具有3D結(jié)構(gòu)的非易失性存儲(chǔ)器設(shè)備有利于高度集成，但是構(gòu)成存儲(chǔ)器設(shè)備的元件之間的間隔狹窄，因此必然會(huì)降低存儲(chǔ)器設(shè)備的可靠性。

發(fā)明內(nèi)容

一種根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器設(shè)備包括存儲(chǔ)器塊，該存儲(chǔ)器塊包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元，該多個(gè)存儲(chǔ)器單元被堆疊以在襯底上彼此隔開；包括耦合到多個(gè)存儲(chǔ)器單元的字線并且包括耦合到包括多個(gè)存儲(chǔ)器單元的串的兩端的位線和源極線。該存儲(chǔ)器設(shè)備還包括外圍電路，該外圍電路被配置為對(duì)存儲(chǔ)器塊執(zhí)行擦除操作。外圍電路被配置為對(duì)包括在存儲(chǔ)器塊中的多個(gè)存儲(chǔ)器單元執(zhí)行擦除操作，并且然后依據(jù)多個(gè)存儲(chǔ)器單元的尺寸對(duì)選自多個(gè)存儲(chǔ)器單元的存儲(chǔ)器單元執(zhí)行缺陷檢測(cè)操作。

一種根據(jù)本公開的實(shí)施例的操作存儲(chǔ)器設(shè)備的方法包括：對(duì)存儲(chǔ)器塊執(zhí)行擦除操作和塊驗(yàn)證操作。該方法還包括：當(dāng)塊驗(yàn)證操作通過時(shí)，對(duì)選自包括在存儲(chǔ)器塊中的多個(gè)頁的頁執(zhí)行缺陷檢測(cè)操作。該方法還包括：當(dāng)塊驗(yàn)證操作失敗或缺陷檢測(cè)操作失敗直到擦除操作的數(shù)目達(dá)到最大擦除計(jì)數(shù)時(shí)，將存儲(chǔ)器塊處理為壞塊。

附圖說明

圖1是圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的存儲(chǔ)器設(shè)備的圖。

圖2是詳細(xì)圖示了圖1所圖示的存儲(chǔ)器單元陣列的圖。

圖3是詳細(xì)圖示了圖2所圖示的存儲(chǔ)器塊的圖。

圖4是圖示了具有多堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器塊的圖。

圖5是圖示了缺陷檢測(cè)操作的實(shí)施例的流程圖。

圖6是圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的塊檢測(cè)操作的圖。

圖7是圖示了擦除驗(yàn)證電壓和缺陷驗(yàn)證電壓的圖。

圖8至圖10是圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的對(duì)選擇的頁執(zhí)行的檢測(cè)操作的圖。

圖11是圖示了具有多堆疊結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器塊的示例的圖。

圖12和圖13是圖示了檢測(cè)選自圖11所圖示的存儲(chǔ)器塊的頁的操作的圖。

圖14是圖示了根據(jù)本公開的實(shí)施例的缺陷檢測(cè)操作的圖。