[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011005773.0
• 申請日: 2020-09-23
• 公開（公告）號: CN111933699B
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳宏瑋;翁文杰;楊子億;張燚
• 申請（專利權(quán)）人: 南京晶驅(qū)集成電路有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/67
• 代理公司: 上海光華專利事務(wù)所(普通合伙) 31219
• 代理人: 林凡燕

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括：

提供一半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底具有第一區(qū)域和第二區(qū)域；

于所述半導(dǎo)體襯底上形成柵極絕緣材料層，所述柵極絕緣材料層包括分別覆蓋所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域表面的第一柵極絕緣材料層和第二柵極絕緣材料層；

于所述柵極絕緣材料層上形成圖案化的光阻層，所述圖案化的光阻層覆蓋所述第二柵極絕緣材料層并露出所述第一柵極絕緣材料層，所述圖案化的光阻層的厚度介于1.8微米~2.6微米之間；

濕法蝕刻完全去除或者去除部分厚度的所述第一柵極絕緣材料層，其中，當(dāng)去除部分厚度的所述第一柵極絕緣材料層時，剩余厚度的所述第一柵極絕緣材料層作為第一柵極絕緣層，當(dāng)濕法蝕刻完全去除所述第一柵極絕緣材料層時，于完全去除所述第一柵極絕緣材料層以露出所述第一區(qū)域的所述半導(dǎo)體襯底上沉積絕緣材料以形成第一柵極絕緣層；

其中，所述圖案化的光阻層的厚度能夠確保蝕刻液能夠滲透穿過，在進(jìn)行濕法蝕刻時，所述蝕刻液滲透所述圖案化的光阻層后對所述第二柵極絕緣材料層進(jìn)行蝕刻減薄，以在所述第二區(qū)域的表面形成第二柵極絕緣層，在濕法蝕刻過程中，所述第一柵極絕緣材料層的蝕刻速率介于0.15埃/秒~0.25埃/秒，所述第二柵極絕緣材料層的蝕刻速率介于0.020埃/秒~0.034埃/秒。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述第一區(qū)域包括低壓區(qū)域，所述第二區(qū)域包括中壓區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述柵極絕緣材料層的材料包括氧化層；所述蝕刻液包括氫氟酸稀釋液或氫氟酸緩沖液。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述蝕刻液為氫氟酸稀釋液，其中，在所述氫氟酸稀釋液中氫氟酸與去離子水的摩爾比介于1:150~1:250之間。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，于所述半導(dǎo)體襯底上形成所述柵極絕緣材料層的步驟中，所述柵極絕緣材料層的厚度介于40埃-150埃之間。