[發明專利]測算功率半導體器件柵極內阻的方法在審
| 申請號： | 202011005384.8 | 申請日： | 2020-09-23 |
| 公開（公告）號： | CN112213562A | 公開（公告）日： | 2021-01-12 |
| 發明（設計）人： | 張鍇;李鐵生 | 申請（專利權）人： | 龍騰半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | G01R27/02 | 分類號： | G01R27/02 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710018 陜西省西安市未*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 測算 功率 半導體器件 柵極 內阻 方法 | ||
【權利要求書】：
1.測算功率半導體器件柵極內阻的方法，其特征在于：
所述方法為，根據柵極電流進出器件的柵極電荷變化曲線，得到兩個Qgd段的Vgs，進而根據差值進行測算。
2.根據權利要求1所述的測算功率半導體器件柵極內阻的方法，其特征在于：
所述方法包括以下步驟：
步驟1：測試出器件的柵極電荷變化曲線a，此時柵極電流Ig流入器件；
步驟2：完成柵極電荷測試后，從柵極拉出一個柵極電流Ig，并測試出器件柵極電荷的變化曲線b，此時Ig從柵極流出器件；
步驟3：計算曲線a的Qgd段的Vgs與曲線b的Qgd段的Vgs的差值，該差值除2*Ig為柵極電阻的值。
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