[發明專利]一種少子壽命控制方法

在審

• 申請號: 202011005223.9
• 申請日: 2020-09-22
• 公開（公告）號: CN114256066A
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 劉勇強;史波;馬穎江;曾丹;林志龍
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
• 主分類號: H01L21/203
• 分類號: H01L21/203;H01L21/324;H01L29/739;H01L29/06
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 盧萬騰;曾軍

1.一種少子壽命控制方法，其特征在于，應用于第一硅晶片，所述第一硅晶片屬于RC-IGBT，所述方法包括：

向所述第一硅晶片注入第一離子，得到P型半導體；

在所述P型半導體上淀積阻隔層；

從所述阻隔層上刻蝕出第一區域，并將所述第一區域作為續流二極管區域，所述第一區域不具有所述阻隔層；

向所述第一區域注入第二離子，以在所述第一區域上形成N型半導體；

對形成所述N型半導體的所述第一區域進行重金屬濺射；

采用第一熱處理方式，對包含經過所述重金屬濺射的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使所述重金屬在所述第一硅晶片中形成復合中心。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述向所述第一硅晶片注入第一離子之前，還包括：

減薄所述第一硅晶片；

所述向所述第一硅晶片注入第一離子，包括：

向減薄后的所述第一硅晶片注入所述第一離子。

3.根據權利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述P型半導體上淀積阻隔層，包括：

在所述P型半導體上淀積氮化硅。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，所述向所述第一區域注入第二離子，以在所述第一區域上形成N型半導體之后，還包括：

采用第二熱處理方式，對所述第一硅晶片進行熱處理；

所述對形成所述N型半導體的所述第一區域進行重金屬濺射，包括：

對形成有所述N型半導體且以所述第二熱處理方式加熱過的所述第一區域進行所述重金屬濺射。

5.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述對形成所述N型半導體的所述第一區域進行重金屬濺射之后，還包括：

祛除所述重金屬；

所述采用第一熱處理方式，對包含所述重金屬濺射的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使所述重金屬在所述第一硅晶片中形成復合中心，包括：

采用第一熱處理方式，對包含祛除所述重金屬的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理，以使所述重金屬在所述第一硅晶片中形成復合中心。

6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述采用第一熱處理方式，對包含祛除所述重金屬的所述第一區域的所述第一硅晶片進行熱處理之后，還包括：

刻蝕所述第一硅晶片上、除所述第一區域外的所述阻隔層；

在第二硅晶片上淀積背面金屬，所述第二硅晶片為不具有所述阻隔層的所述第一硅晶片。

7.根據權利要求6所述的方法，其特征在于，所述從所述阻隔層上刻蝕出第一區域，包括：

使用背面掩膜版從所述阻隔層上刻蝕出所述第一區域。

8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述采用第一熱處理方式，對進行所述重金屬濺射的所述第一區域進行熱處理，包括：

采用熱推結的方式，對進行所述重金屬濺射的所述第一區域進行熱處理。

9.根據權利要求4所述的方法，其特征在于，所述采用第二熱處理方式，對所述第一硅晶片進行熱處理，包括：

采用激光退火的方式，對所述第一硅晶片進行熱處理。

10.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，所述祛除所述重金屬，包括：

采用酸腐蝕的方式，祛除所述重金屬。