[發(fā)明專利]顯示裝置的修補(bǔ)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011005070.8 | 申請日: | 2020-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN112635445A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 小川耀博 | 申請(專利權(quán))人: | 株式會社日本顯示器 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L27/15;H01L33/48;G09F9/33 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 牛蔚然 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 修補(bǔ) 方法 | ||
本發(fā)明涉及顯示裝置的修補(bǔ)方法,即使在發(fā)生了不良的情況下也能夠適當(dāng)?shù)厥褂谩P扪a(bǔ)方法為具備排列為矩陣狀的多個無機(jī)發(fā)光體和在無機(jī)發(fā)光體的周圍設(shè)置的絕緣體的顯示裝置的修補(bǔ)方法,包括下述步驟:檢測步驟(S14),對變得不良的無機(jī)發(fā)光體即不良無機(jī)發(fā)光體進(jìn)行檢測;絕緣體除去步驟(S18),向不良無機(jī)發(fā)光體的周圍的絕緣體照射照射光,在保留不良無機(jī)發(fā)光體而不將其除去的狀態(tài)下,將不良無機(jī)發(fā)光體的周圍的絕緣體除去;和無機(jī)發(fā)光體除去步驟(S20),將周圍的絕緣體被除去了的不良無機(jī)發(fā)光體除去。
本申請主張2019年9月24日申請的日本專利申請編號2019-173422號的優(yōu)先權(quán),該日本專利申請的全部內(nèi)容引用在本申請中。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及顯示裝置的修補(bǔ)方法。
背景技術(shù)
近年來,作為顯示元件使用微小尺寸的發(fā)光二極管(微LED(micro LED))的顯示裝置受到關(guān)注(例如參見專利文獻(xiàn)1(日本特表2017-529557號公報(bào)))。多個發(fā)光二極管與陣列基板(在專利文獻(xiàn)1中為驅(qū)動背板)連接,陣列基板具備用于驅(qū)動發(fā)光二極管的像素電路(在專利文獻(xiàn)1中為電子控制電路)。
但是,對于使用發(fā)光二極管的顯示裝置而言,由于發(fā)光二極管的尺寸小等理由,使得發(fā)光二極管向基板的搭載等制造困難且容易導(dǎo)致發(fā)光二極管的不良。在將發(fā)生不良的顯示裝置廢棄等不再使用的情況下,成品率低下。因此,要求即使在使用發(fā)光二極管的顯示裝置中發(fā)生了不良的情況下也能夠適當(dāng)?shù)厥褂谩?/p>
本發(fā)明是鑒于上述課題做出的,目的在于提供一種在發(fā)生了不良的情況下也能夠適當(dāng)使用的顯示裝置的修補(bǔ)方法。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明一方案的顯示裝置的修補(bǔ)方法為具備排列為矩陣狀的多個無機(jī)發(fā)光體和在所述無機(jī)發(fā)光體的周圍設(shè)置的絕緣體的顯示裝置的修補(bǔ)方法,其包括下述步驟:檢測步驟,對變得不良的所述無機(jī)發(fā)光體即不良無機(jī)發(fā)光體進(jìn)行檢測;絕緣體除去步驟,向所述不良無機(jī)發(fā)光體的周圍的所述絕緣體照射照射光,在保留所述不良無機(jī)發(fā)光體而不將其除去的狀態(tài)下,將所述不良無機(jī)發(fā)光體的周圍的所述絕緣體除去;和無機(jī)發(fā)光體除去步驟,將周圍的所述絕緣體被除去了的所述不良無機(jī)發(fā)光體除去。
附圖說明
圖1是示出本實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)成例的俯視圖。
圖2是示出多個像素的俯視圖。
圖3是示出顯示裝置的像素電路的構(gòu)成例的電路圖。
圖4是示出圖1的IV-IV’剖視圖。
圖5是示出本實(shí)施方式的無機(jī)發(fā)光體的構(gòu)成例的剖視圖。
圖6是說明本實(shí)施方式的顯示裝置的修補(bǔ)方法的流程圖。
圖7是示出向?qū)ο蟛糠终丈湔丈涔獾那闆r下的例子的示意圖。
圖8是示出向?qū)ο蟛糠终丈湔丈涔獾那闆r下的例子的示意圖。
圖9是說明將不良無機(jī)發(fā)光體除去的工序的示意圖。
圖10是示意性示出不良無機(jī)發(fā)光體被除去后的顯示裝置的圖。
圖11是示意性說明搭載替代無機(jī)發(fā)光體的工序的圖。
圖12是示意性說明搭載替代無機(jī)發(fā)光體的工序的圖。
圖13是示意性說明形成替代絕緣體的工序的圖。
圖14是示意性說明形成替代導(dǎo)電體的工序的圖。
附圖標(biāo)記說明
1 顯示裝置
50e 對置陽極電極
50f 連接層
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





